层积陶瓷电容器

摘要

具有内部电极层3，及厚度3.5μm之层间介电质层2的层积陶瓷电容器1，其系上述层间介电质层2由与上述内部电极层相接之接触介电质粒子2a，及不与上述内部电极层相接之非接触介电质粒子2b构成，该接触介电质粒子2a之平均粒径为D50e,该非接触介电质粒子2b之平均粒径为 D50d时，D50e<0.450μm，且满足(D50e/D50d)=1.20~3.00(但1.20及3.00除外)的层积陶瓷电容器1。根据本发明可以提供，将层间介电质层2薄层化时，亦可期待85℃下之偏压特性提升的层积陶瓷电容器1。

主权项

1.一种层积陶瓷电容器,系具有内部电极层及厚度3 .5m以下之介电质层的层积陶瓷电容器,其特征为 上述介电质层系由与上述内部电极层相接之接触 介电质粒子,及不与上述内部电极层相接之非接触 介电质粒子构成, 该接触介电质粒子之平均粒径为D50e,该非接触介 电质粒子之平均粒径为D50d时,D50e<0.450m,且满足(D 50e/D50d)=1.20~3.00(但1.20及3.00除外)。 图式简单说明: 第1图系本发明之一实施形态有关的层积陶瓷电容 器之概略剖视图, 第2图系第1图之介电质层的重要部份放大剖视图, 第3图系呈示实施例中去黏结剂处理、烧及退火 的各温度变化之图。