| 主权项 |
1.一种半导体装置,系包括: 一具导角之盖体;以及 一供该盖体盖接其上之封装件,其包括: 具斜边之基板; 接置于该基板上之至少一被动元件与至少一晶片, 且该晶片系藉多数导电元件电性连接至该基板;以 及 用以包覆该至少一被动元件、至少一晶片及导电 元件之胶体,该胶体形成有一对应于该基板之斜边 的截角,使该基板之斜边与胶体之截角间形成一外 露出该胶体之外露部,而令该基板除该外露部外, 其形成有该胶体之表面均为胶体所覆盖。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该盖 体盖接至基板上后,该基板之斜边系接合于该盖体 之导角。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该胶 体之侧边系与基板之侧边齐平而成共平面之关系 。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该胶 体之侧边系自基板之侧边由外朝内倾斜而使胶体 之截面呈楔形之形状。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板之斜边系呈直线状。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板之斜边系具至少一转折点之线性边。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板之斜边系呈弧形状。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板之斜边系具至少一转折点之弧形边。 9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板之斜边与基板之侧边系以不同程序形成者。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板之斜边须对应该盖体之导角的形状。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该导 电元件系焊线。 12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中,该焊 线系金线。 13.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该基 板外露出该半导体装置之表面上系形成有多数之 电性连接垫,俾使该半导体装置藉之与外界装置形 成电性连接关系。 14.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该至 少一晶片为大尺寸之记忆体晶片。 15.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该至 少一晶片为一控制晶片与记忆体晶片之组合。 16.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该至 少一晶片为二记忆体晶片之组合。 17.一种半导体装置之制法,系包括下列步骤: 备制一具至少一开孔之载件,该载件上包括至少一 预定成型之基板,该基板并切接至该至少一开孔上 所形成之一斜边; 黏置至少一被动元件与至少一晶片于该载件之预 定成型为基板之区域上; 电性连接该晶片与该载件; 进行模压作业以于该载件上形成一包覆该至少一 被动元件与至少一晶片之胶体,所形成之胶体的侧 边除对应于该载件之开孔斜边的部位外,须至少不 小于载件上预定成型之基板的侧边;成形后之胶体 对应于该载件上之开孔之斜边处乃具有一截角,使 该胶体之截角与开孔之斜边间形成有一预定之距 离; 沿该载件上预定成型之基板的侧边进行直线切割, 以形成出一以基板为承载件且尺寸与基板面积相 同之封装件,其中,该基板与开孔之斜边所切接之 部分即形成为基板之斜边,且该基板之斜边与胶体 之截角间之未为胶体所覆盖之部分系成为该基板 之外露部;以及 将一具导角之盖体盖接于该封装件上,而形成该半 导体装置,且该盖体与封装件组接完成后,该封装 件之基板的斜边系接合至该盖体之导角。 18.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔系以 冲压方式(Punch)形成。 19.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔系以 回切方式形成。 20.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔之形 状系为直角三角形、钝角三角形、锐角三角形及 等边三角形中之一者,且系以其一斜边与基板切接 ,俾使该开孔之斜边于直线切割之步骤完成后,该 开孔之斜边未被切除之部分形成为该基板之斜边 。 21.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔系为 半圆形及类似形状中之一者,且系以其一直线边成 为该开孔之斜边而以之与基板切接,俾使该开孔之 斜边于直线切割之步骤完成后,该开孔之斜边未被 切除之部分形成为该基板之斜边。 22.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔之斜 边为直线边,使该封装件形成后,该基板之斜边亦 为直线边。 23.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔之斜 边为非直线边,使该封装件形成后,该基板之斜边 亦为非直线边。 24.如申请专利范围第23项之制法,其中,该开孔之斜 边具至少一转折点。 25.如申请专利范围第24项之制法,其中,该开孔之斜 边具至少一转折点时,该开孔之形状得为三角形、 类半圆形及其它非三角形或类半圆形之形状中之 一者。 26.如申请专利范围第17项之制法,其中,该开孔之斜 边须不小于该基板成型后之斜边,俾使该基板之斜 边为该直线切割之步骤中基板唯一未经直线切割 之部分。 27.如申请专利范围第17项之制法,其中,该胶体成形 后,该胶体之侧边系位于该基板之侧边外,使胶体 覆盖于载件上之区域,除该胶体之截角至开孔之斜 边间之部分外,系大于基板,故在直线切割之步骤 中,胶体超出基板之部分系予切除。 28.如申请专利范围第27项之制法,其中,于直线切割 之步骤中所形成之封装件,除于基板之斜边外,该 基板之侧边均与形成于基板上之胶体的侧边共平 面。 29.如申请专利范围第17项之制法,其中,该胶体形成 后,该胶体除其截角外,其侧边均重合于该基板之 侧边,使该胶体将基板之外露部外之全部区域覆盖 住,故在直线切割之步骤中,不会切割至该胶体,而 仅会将该载件于基板外之部分切除。 30.如申请专利范围第29项之制法,其中,于直线切割 之步骤中所形成之封装件中,形成于该基板上之胶 体除其截角外,其侧边均系自基板之侧边由外朝内 倾斜,而使形成于该基板上之胶体的截面呈楔形之 形状。 31.如申请专利范围第17项之制法,其中,该晶片与载 件中之基板的电性连接系藉焊线为之。 32.如申请专利范围第31项之制法,其中,该焊线系金 线。 33.如申请专利范围第17项之制法,其中,该晶片系控 制晶片与记忆体晶片中之至少一者。 34.如申请专利范围第17项之制法,其中,该直线切割 之步骤系以一般切割设备为之。 35.如申请专利范围第17项之制法,其中,该基板外露 出该半导体装置之表面上系形成有复数个电性连 接垫,俾供该半导体装置藉之与外界装置电性连接 。 36.一种用于半导体装置之载件,系一呈矩形状之电 路板,该电路板上开设有至少一开孔,并包含有至 少一具斜边之基板,且令该基板之斜边重合于该开 孔之斜边。 37.如申请专利范围第36项之载件,其中,该开孔之斜 边之长度不短于该基板之斜边的长度。 38.如申请专利范围第36项之载件,其中,该开孔之形 状为直角三角形、钝角三角形、锐角三角形、等 边三角形、半圆形及类似者中之一者。 39.如申请专利范围第36项之载件,其中,该基板之斜 边为直线边。 40.如申请专利范围第36项之载件,其中,该基板之斜 边为具至少一转折点之线形边。 41.如申请专利范围第36项之载件,其中,该基板之斜 边为弧形边。 42.如申请专利范围第36项之载件,其中,该基板之斜 边为具至少一转折点之弧形边。 43.如申请专利范围第36项之载件,其中,该载件上之 基板为复数个时,各基板系彼此间隔开。 图式简单说明: 第1A图系习知多晶片模组记忆卡之立体图; 第1B图系第1A图沿B-B线剖开之剖视图; 第1C图系第1A图所示之习知多晶片模组记忆卡中之 封装件于进行模压作业时之剖视图; 第1D图系第1A图所示之多晶片模组记忆卡中之封装 件所使用之载件的下视图; 第2A图系另一习知多晶片模组记忆卡中之封装件 所使用之载件上形成有胶体之下视图; 第2B图系第2A图所示之封装件于进行切单作业之示 意图; 第3A图系本发明第一实施例之半导体装置的立体 图; 第3B图系第3A图沿B-B线剖开之剖视图; 第3C图系第3B图中所示之封装件之立体图; 第4A至4Gb图系本发明第一实施例之半导体装置之 制法流程示意图; 第5A图系本发明第二实施例之半导体装置之剖视 图; 第5B图系本发明第二实施例之半导体装置之下视 图;以及 第6A至6G图系本发明第二实施例之半导体装置之制 法流程示意图。 |
