| 主权项 |
1.一种监测氧化物层沈积的方法,该监测氧化物层 沈积的方法包含: 提供至少一测试矽晶圆,该测试矽晶圆上具有一氮 化矽层;及 将该测试矽晶圆与至少一制程矽晶圆一同载入一 炉管以监测该制程矽晶圆上之一氧化矽层的沉积 。 2.如申请专利范围第1项之监测氧化物层沈积的方 法,其中三片该测试矽晶圆与该制程矽晶圆一同载 入该炉管并分别置于该炉管内之顶部、中间及底 部。 3.如申请专利范围第1项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该炉管包含一垂直高温氧化炉。 4.如申请专利范围第1项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该氧化矽层系于温度800℃以上进行沈积。 5.如申请专利范围第1项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该氧化物层系形成于一氮化矽层上作为一 氧化矽-氮化矽-氧化矽层的上氧化矽层。 6.如申请专利范围第1项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该制程矽晶圆系用于非挥发性记忆体的制 程。 7.如申请专利范围第6项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该非挥发性记忆体为快闪记忆体。 8.一种监测氧化物层沈积的方法,该监测氧化物层 沈积的方法包含: 提供至少一第一测试矽晶圆,该第一测试矽晶圆上 具有一第一氮化矽层; 将该第一测试矽晶圆与至少一制程矽晶圆一同载 入一炉管以监测该制程矽晶圆上之一第一氧化矽 层的沉积; 将该第一测试矽晶圆与该制程矽晶圆自该炉管中 移出; 形成一第二氮化矽层于该制程矽晶圆上;及 将至少一第二测试矽晶圆与该制程矽晶圆一同载 入该炉管以监测该制程矽晶圆上之一第二氧化矽 层的沉积,该第二测试矽晶圆上具有一第三氮化矽 层。 9.如申请专利范围第8项之监测氧化物层沈积的方 法,其中三片该第一测试矽晶圆与该制程矽晶圆一 同载入该炉管并分别置于该炉管内之顶部、中间 及底部。 10.如申请专利范围第8项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该炉管包含一垂直高温氧化炉。 11.如申请专利范围第8项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该氧化矽层系于温度800℃以上进行沈积。 12.如申请专利范围第8项之监测氧化物层沈积的方 法,其中该制程矽晶圆系用于非挥发性记忆体的制 程。 13.如申请专利范围第12项之监测氧化物层沈积的 方法,其中该非挥发性记忆体为快闪记忆体。 14.如申请专利范围第8项之监测氧化物层沈积的方 法,其中三片该第二测试矽晶圆与该制程矽晶圆一 同载入该炉管并分别置于该炉管内之顶部、中间 及底部。 15.一种监测氧化物层沈积的方法,该监测氧化物层 沈积的方法包含: 提供具有氮化矽层的一测试矽晶圆以及一制程矽 晶圆; 将该测试矽晶圆以及该制程晶圆一同载入炉管中 以沈积一氧化矽层于该测试矽晶圆以及该制程矽 晶圆上,并且控制该氧化矽层的厚度,使位于该测 试矽晶圆及制程矽晶圆上的该氧化矽层的厚度大 致相同;及 量测该氧化矽层的厚度。 16.如申请专利范围第15项之监测氧化物层沈积的 方法,其中该氧化矽层系于温度800℃以上进行沈积 。 17.如申请专利范围第15项之监测氧化物层沈积的 方法,其中该氧化矽层包含一高温氧化矽层。 18.如申请专利范围第15项之监测氧化物层沈积的 方法,其中该氧化矽层系于一垂直高温氧化炉中沈 积。 图式简单说明: 第一图显示分别具有氧化层于其上且分别位于一 炉管内之顶部、中间与底部之测试晶圆;及 第二图显示分别具有氮化矽层、氧化物层于其上 且分别位于一炉管内之顶部、中间与底部之测试 矽晶圆。 |
