发明名称 用于半导体装置之编码电路及使用其之冗余控制电路
摘要 本发明提供用于半专体设备之编码电路及使用其之冗余控制电路,其中多重外部讯号共同耦合至预充电节点以输出预定编码讯号。根据此编码电路,能够减小编码电路占据的面积且有利于防止自外部讯号供给至编码讯号产生的时间延迟效应。另外,能够减少由冗余电路之整体冗余讯(global redundancy signal)产生中的延迟而导致的假讯号(glitch signal)之产生,以使得能够改良半导体设备的效能。
申请公布号 TWI249806 申请公布日期 2006.02.21
申请号 TW093119318 申请日期 2004.06.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 朴荣洙
分类号 H01L21/70 主分类号 H01L21/70
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种半导体设备之编码电路,其包括: 一预充电节点; 一第一PMOS电晶体,其用于向该预充电节点提供一 电源电压; 多重NMOS电晶体,其并行连接于该预充电节点与一 接地电压之间且由多重外部讯号驱动;及 一输出电路,其用于根据该预充电节点之一逻辑状 态来产生一编码讯号。 2.如申请专利范围第1项之编码电路,其中该输出电 路包括: 一反相器,其用于将该预充电节点之一逻辑状态转 换成该编码讯号;及 一第二PMOS电晶体,其用于根据该编码讯号来向该 预充电节点提供该电源电压。 3.一种半导体设备之编码电路,其包括: 一预充电节点; 一第一NMOS电晶体,其用于向该预充电节点提供一 接地电压; 多重PMOS电晶体,其并行连接于该预充电节点与一 电源电压之间且由多重外部讯号驱动;及 一输出电路,其用于根据该预充电节点之一逻辑状 态来产生一编码讯号。 4.如申请专利范围第3项之编码电路,其中该输出电 路包括: 一第一反相器,其用于将该预充电节点之一逻辑状 态转换成一控制讯号; 一第二反相器,其用于将该控制讯号转换成该编码 讯号;及 一PMOS电晶体,其用于根据该控制讯号来向该预充 电节点提供该电源电压。 5.一种半导体设备之冗余控制电路,其包括: 多重修复位址选择器,其用于根据一位址讯号及一 冗余启用讯号来产生局部冗余讯号; 多重修复I/O选择器,其用于根据该局部冗余讯号来 输出待修复之I/O资讯讯号,且该等修复I/O选择器中 每一个对应于该等修复位址选择器; 一I/O解码器,其用于自该等I/O资讯讯号产生I/O讯号 ;及 一编码器,其根据该等局部冗余讯号用于产生重设 讯号以启动该等I/O资讯讯号且用于产生一整体冗 余讯号以通知在一晶片中启动一冗余操作并控制 该I/O解码器。 6.如申请专利范围第5项之冗余控制电路,其中该编 码器包括: 一预充电节点; 一PMOS电晶体,其用于向该预充电节点提供一电源 电压; 多重NMOS电晶体,其并行连接于该预充电节点与一 接地电压之间且由该等局部冗余讯号驱动; 一重设电路,其用于根据该预充电节点之一逻辑状 态来产生重设讯号;及 一输出电路,其用于根据该预充电节点之一逻辑状 态来产生该整体冗余讯号。 7.如申请专利范围第5项之冗余控制电路,其中该编 码器包括: 一预充电节点; 一第一NMOS电晶体,其用于向该预充电节点提供一 接地电压; 多重PMOS电晶体,其并行连接于该预充电节点与一 电源电压之间且由该等局部冗余讯号驱动; 一输出电路,其用于根据该预充电节点之一逻辑状 态来产生一预定控制讯号及该整体冗余讯号;及 一重设电路,其用于根据该控制讯号来产生该等重 设讯号。 图式简单说明: 图1说明一习知冗余电路中的编码电路; 图2为根据本发明之冗余控制电路的方块图; 图3为根据本发明之一实施例之编码器的电路图; 及 图4为根据本发明之另一实施例之编码器的电路图 。
地址 韩国