| 主权项 |
1.一种扫描曝光装置,包含: 一照射光学系统,用以使用弧形照射光照射蔽罩上 之一图案; 一投影光学系统,用以投射由照射光学系统所照射 之蔽罩上之图案于一板上; 一蔽罩平台,用以扫描蔽罩; 一板平台,用以扫描该板,扫描曝光装置对投影光 学系统同步扫描蔽罩平台及板平台; 一蔽罩支持机构,用以支持蔽罩之周边;及 一蔽罩平台倾斜机构,用以安排由弧形照射光所照 射之一区域中之图案于投影光学系统之目标表面 方焦平面中,其中,蔽罩由于其本身重量引起自受 支持之周边变形。 2.如申请专利范围第1项所述之扫描曝光装置,其中 ,蔽罩支持机构至少在平行于及/或垂直于扫描方 向之二边支持该蔽罩。 3.如申请专利范围第1项所述之扫描曝光装置,其中 ,蔽罩支持机构仅在平行于扫描方向之二边支持蔽 罩。 4.如申请专利范围第1项所述之扫描曝光装置,其中 ,蔽罩平台倾斜机构由倾斜装有蔽罩之一平台凳使 蔽罩对扫描方向倾斜。 5.如申请专利范围第1项所述之扫描曝光装置,另包 含一投影放大率改正机构,用以改正在与扫描方向 正交之一方向上之投影放大率。 6.如申请专利范围第1项所述之扫描曝光装置,另包 含一平台控制机构,用以在与投影光学系统之投影 放大率相当之一速度比率上同步蔽罩平台及板平 台,及用以对投影光学系统扫描,其中,平台控制机 构依据蔽罩及板之倾斜,调整该速度比率。 7.一种扫描曝光装置,包含: 一照射光学系统,用以使用弧形照射光照射蔽罩上 之一图案; 一投影光学系统,用以投射由照射光学系统所照射 之蔽罩上之图案于一板上; 一蔽罩平台,用以扫描蔽罩; 一板平台,用以扫描该板,扫描曝光装置对投影光 学系统同步扫描蔽罩平台及板平台; 一蔽罩支持机构,用以支持蔽罩之周边;及 一板平台倾斜机构,用以安排该板之一表面于投影 光学系统之一目标表面方焦平面中,此平面反映由 弧形照射光所照射之一区域中之图案,其中,蔽罩 由于其本身重量引起自受支持之周边变形。 8.如申请专利范围第7项所述之扫描曝光装置,其中 ,蔽罩支持机构至少在平行于及/或垂直于扫描方 向之二边支持该蔽罩。 9.如申请专利范围第7项所述之扫描曝光装置,其中 ,蔽罩支持机构仅在平行于扫描方向之二边支持蔽 罩。 10.如申请专利范围第7项所述之扫描曝光装置,其 中,蔽罩平台倾斜机构由倾斜装有蔽罩之一平台凳 使蔽罩对扫描方向倾斜。 11.如申请专利范围第7项所述之扫描曝光装置,另 包含一投影放大率改正机构,用以改正在与扫描方 向正交之方向上之投影放大率。 12.如申请专利范围第7项所述之扫描曝光装置,另 包含一平台控制机构,用以在与投影光学系统之投 影放大率相当之速度比率上同步蔽罩平台及板平 台,及用以对投影光学系统扫描,其中,该平台控制 机构依据蔽罩及板之倾斜,调整该速度比率。 13.一种扫描曝光装置,包含: 一照射光学系统,用以使用弧形照射光照射蔽罩上 之一图案; 一投影光学系统,用以投射由照射光学系统所照射 之蔽罩上之图案于一板上; 一蔽罩平台,用以扫描蔽罩; 一板平台,用以扫描该板,扫描曝光装置对投影光 学系统同步扫描蔽罩平台及板平台; 一蔽罩支持机构,用以支持蔽罩之周边;及 一机构,用以倾斜蔽罩平台及板平台,用以安排该 板之一表面于投影光学系统之一目标表面方焦平 面中,此平面反映由弧形照射光所照射之一区域中 之图案,其中,蔽罩由于其本身重量引起自受支持 之周边变形。 14.如申请专利范围第13项所述之扫描曝光装置,其 中,蔽罩支持机构至少在平行于及/或垂直于扫描 方向之二边支持该蔽罩。 15.如申请专利范围第13项所述之扫描曝光装置,其 中,蔽罩支持机构仅在平行于扫描方向之二边支持 蔽罩。 16.如申请专利范围第13项所述之扫描曝光装置,其 中,蔽罩平台倾斜机构由倾斜装有蔽罩之一平台凳 使蔽罩对扫描方向倾斜。 17.如申请专利范围第13项所述之扫描曝光装置,另 包含一投影放大率改正机构,用以改正在与扫描方 向正交之方向上之投影放大率。 18.如申请专利范围第13项所述之扫描曝光装置,另 包含一平台控制机构,用以在与投影光学系统之投 影放大率相当之速度比率上同步蔽罩平台及板平 台,及用以对投影光学系统扫描,其中,该平台控制 机构依据蔽罩及板之倾斜,调整该速度比率。 19.一种扫描曝光方法,用以使用弧形照射光照射蔽 罩上之图案,及用以投射由照射光学系统所照射之 蔽罩上之图案于一板上,扫描曝光装置对投影光学 系统同步扫描蔽罩及板,该方法包含步骤: 曝光一焦点量度图案蔽罩; 由该板上之一焦点量度图案影像之光强度或解像 度性能量度一特定区之焦点位置; 线性内插量度结果,并辨认影像平面位置; 计算用以倾斜蔽罩及/或板之倾斜角度,以安排该 板之一表面于一影像表面位置之焦平面上; 根据计算之资料,改正蔽罩及/或板平台之倾斜;及 曝光一实际蔽罩。 20.如申请专利范围第19项所述之扫描曝光方法,在 自焦点量度图案量度特定区之焦点状态中,另包含 步骤: 在扫描方向中仅扫描焦点量度图案蔽罩;及 根据安排于特定曝光区中之光量侦测器之输出,辨 认影像表面位置。 21.如申请专利范围第19项所述之扫描曝光方法,在 自焦点量度图案量度特定区之焦点状态中,另包含 步骤: 在扫描方向中曝光焦点量度图案蔽罩及涂有感光 材料之板; 自该板之感光影像监定焦点状态;及 根据监定之资料,辨认影像平面位置。 22.一种装置制造方法,包含步骤: 使用扫描曝光方法曝光一装置图案于一板上;及 显影已曝光之该板, 其中,该扫描曝光方法使用弧形照射光照射蔽罩上 之图案,及投射由照射光学系统所照射之蔽罩上之 图案于一板上,扫描曝光装置对投影光学系统同步 扫描蔽罩及板,该方法包含步骤: 曝光一焦点量度图案蔽罩; 由该板上之一焦点量度图案影像之光强度或解像 度性能量度一特定区之焦点位置; 线性内插量度结果,并辨认影像平面位置; 计算用以倾斜蔽罩及/或板之倾斜角度,以安排该 板之一表面于一影像表面位置之焦平面上; 根据计算之资料,改正蔽罩及/或板平台之倾斜;及 曝光一实际蔽罩。 图式简单说明: 图1为本发明之第一实施例之主要部份之概要图。 图2为本发明之第二实施例之主要部份之概要图。 图3为本发明之第三实施例之主要部份之概要图。 图4为本发明之第四实施例之主要部份之概要图。 图5为吸收四边之蔽罩支持方法之概要图。 图6用以说明吸收四边之蔽罩支持方法中重力变形 。 图7为吸收在扫描方向上之二边之蔽罩支持方法之 概要图。 图8用以说明吸收二边之蔽罩支持方法中重力变形 。 图9用以说明第一至第四实施例及一平台改正量。 图10为用以获得倾斜改正量之流程图。 图11为用以说明本发明之装置制造方法之流程图 。 图12为用以说明本发明之装置制造之流程图。 图13为普通扫描曝光装置之主要部份之概要图。 |
