| 主权项 |
1.一种用于制造一储存电容器的方法,其包含: 经由一蚀刻程序,形成一初始深沟渠结构; 形成一牺牲掺杂矽层,其自该深沟渠的内部表面延 伸至一矽基质,其中在该牺牲掺杂矽层与该矽基质 间建立一边界; 自该沟渠的内部表面选择性移除该牺牲掺杂矽层; 制造一包埋的板电极; 制造一电容器介电质;以及 制造一顶部电极。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中该牺牲掺杂矽 层包含p掺杂矽。 3.如申请专利范围第2项的方法,其中该选择性移除 该牺牲掺杂矽层更包含使用氢氧化物水溶液的化 学蚀刻。 4.如申请专利范围第2项的方法,其中该p-掺杂矽层 是由气相掺杂所形成。 5.如申请专利范围第2项的方法,其中该选择性移除 该牺牲掺杂矽层更包含: 形成一n-型区域,其自该内部p-型矽介面进一步延 伸至该矽基质;以及 选择性蚀刻该p-型层,因而在该选择性蚀刻该p-型 层的过程中,该n-型区域实质上保持未被蚀刻。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中该选择性蚀刻 该p-型层包含: 将该p-型层暴露至一氢氧化物水溶液; 在一计算器电极与包含该p-型层的晶圆背侧间施 加一约1.2伏特的正偏压;以及 保持该正偏压一段时间,以便完全移除该p-型层。 7.如申请专利范围第5项的方法,其中该p-型层是由 气相掺杂所形成。 8.如申请专利范围第6项的方法,其中该p-型层是由 气相掺杂所形成。 9.如申请专利范围第1项的方法,其中该初始深沟渠 结构的形成乃更包含形成一抗蚀刻项圈,其位于该 沟渠的顶部区域中的该沟渠内部表面上。 10.一种动态随机存取记忆体(dynamic random access memory, DRAM)沟渠电容器阵列,其中以横切面视察时, 各沟渠电容器具有实质上均匀形状的一瓶形沟渠 横切面,以及其中瓶沟尺寸的均匀性在该阵列中的 电容器间乃实质上并无不同。 11.如申请专利范围第10项的阵列,其中形成该阵列 的步骤包含: 经由一蚀刻程序,在一矽基质中形成一初始深沟渠 结构; 形成一牺牲掺杂矽层,其自该深沟渠的内部表面延 伸至该矽基质,进而形成一内部的p型矽/矽界面; 自该沟渠内部表面,选择性移除该牺牲掺杂矽层; 制造一包埋的板电极、一电容器介电质,以及一顶 部电极。 12.如申请专利范围第11项的阵列,其中该牺牲掺杂 矽层包含p-掺杂矽。 13.如申请专利范围第12项的阵列,其中该p-掺杂矽 层是由气相掺杂所形成。 14.如申请专利范围第11项的阵列,其中该选择性移 除该牺牲掺杂矽层包含: 形成一-n型区域,其自该内部p-型矽介面延伸至该 矽基质;以及 选择性蚀刻该p-型层,因而在该选择性蚀刻该p-型 层的过程中,该n-型区域实质上保持未被蚀刻。 15.如申请专利范围第14项的阵列,其中藉由使用钾 或铵的氢氧化物水溶液的化学蚀刻而形成该选择 性蚀刻该p-型层乃更包含在该化学蚀刻过程中,施 加一偏压至该p-型层的步骤。 16.一种用于制造矽中瓶形蚀刻结构的方法,其包含 : 藉由一方向性矽蚀刻程序形成一初始窄蚀刻区域; 在该蚀刻区域的顶部中形成一抗蚀刻项圈; 形成一牺牲掺杂矽层,其自该蚀刻区域的内部表面 更延伸至该矽中,其中该牺牲掺杂矽层是由该矽的 气相掺杂所制造;以及 藉由在一化学溶液中蚀刻而选择性移除该牺牲掺 杂矽层。 17.如申请专利范围第16项的方法,其中该选择性移 除该牺牲掺杂矽层更包含: 形成一n-型区域,其自该内部p-型矽介面进一步延 伸至该矽基质中;以及 选择性蚀刻该p-型层,因而在该选择性蚀刻该p-型 层的过程中,该n-型区域实质上保持未被蚀刻。 18.如申请专利范围第17项的方法,其中该选择性蚀 刻该p-型层包含: 将该p-型层暴露至一氢氧化物水溶液; 在一计算器电极与包含该p-型层的晶圆背侧间施 加一约1.2伏特的正偏压;以及 保持该正偏压一段时间以便完全移除该p-型层。 图式简单说明: 图1a与图1b分别是说明一理想电容器的横切面及其 平面电容器。 图2是一横切面示意图,其是说明使用标准垂直蚀 刻制程所完成的沟渠结构。 图3是根据习知技艺,说明在标准垂直蚀刻步骤之 后,使用一湿式化学蚀刻所形成的瓶沟。 图4是说明由于湿式化学蚀刻制程变化,所形成的 瓶沟不均匀与错误。 图5a至图5c是说明对于平均尺寸的瓶沟,湿式化学 蚀刻制程非均匀性的影响。 图6a至图6d是根据本发明的一实施例,说明瓶沟形 成。 图7是根据本发明的一实施例,说明电化学蚀刻处 理步骤。 图8是根据本发明的另一实施例,说明一电化学蚀 刻装置。 图9是说明n型矽的电流-电压钝化作用。 |
