| 主权项 |
1.一种半导体装置,是属于一种具备: 具有上面,下面,2个侧面及端面,且横切延伸方向的 剖面形状为四角形之复数条导线;及 具有第1面,及与前述第1面对向的第2面,以及位于 前述第1面与第2面之间的四个侧面,且以前述复数 条导线的下面能够从前述第2面露出之方式来密封 前述复数条导线之由树脂所构成的密封体; 前述复数条导线中的一部份导线是沿着横切前述 第2面的一边而延伸,前述复数条导线中的其他部 份导线是沿着横切与前述第2面的前述一边呈对向 的另一边的方向而延伸之半导体装置,其特征为: 从前述第2面露出的前述复数条导线间的前述第2 面是位于比前述复数条导线的下面还要靠前述复 数条导线的上面方向,从前述第2面露出的前述复 数条导线上面会藉由前述树脂来覆盖,且从前述第 2面露出的前述一部份导线与前述其他部份的导线 之间的前述第2面是与前述一部份导线的下面及前 述其他部份导线的下面几乎同一面。 2.一种半导体装置,是属于一种具备: 具有上面,下面,2个侧面及端面,且横切延伸方向的 剖面形状为四角形之复数条导线及吊挂导线;及 具有第1面,及与前述第1面对向的第2面,以及位于 前述第1面与第2面之间的四个侧面,且以前述复数 条导线的下面能够从前述第2面露出之方式来密封 前述复数条导线及吊挂导线之由树脂所构成的密 封体; 前述复数条导线中的一部份导线是沿着横切前述 第2面的一边而延伸,前述复数条导线中的其他部 份导线是沿着横切与前述第2面的前述一边呈对向 的另一边的方向而延伸之半导体装置,其特征为: 前述吊挂导线会从前述第2面露出; 从前述第2面露出的前述复数条导线间的前述一第 2面是位于比前述复数条导线的下面还要靠前述复 数条导线的上面方向,从前述第2面露出的前述复 数条导线上面会藉由前述树脂来覆盖,且从前述第 2面露出的前述一部份导线与前述其他部份的导线 之间的前述第2面是与前述一部份导线的下面及前 述其他部份导线的下面几乎同一面。 3.如申请专利范围第2项记载之半导体装置,其中前 述吊挂导线为2条。 4.如申请专利范围第2或3项记载之半导体装置,其 中标签是被密封于前述树脂密封体内。 5.一种半导体装置,是属于一种具备: 具有上面,下面,2个侧面及端面,且横切延伸方向的 剖面形状为四角形之复数条导线;及 具有第1面,及与前述第1面对向的第2面,以及位于 前述第1面与第2面之间的四个侧面,且以前述复数 条导线的下面能够从前述第2面露出之方式来密封 前述复数条导线之由树脂所构成的密封体; 前述复数条导线中的一部份导线是沿着横切前述 第2面的一边而延伸,前述复数条导线中的其他部 份导线是沿着横切与前述第2面的前述一边呈对向 的另一边的方向而延伸之半导体装置,其特征为: 前述复数条导线的端面会从前述侧面露出; 从前述第2面露出的前述复数条导线间的前述第2 面是位于比前述复数条导线的下面还要靠前述复 数条导线的上面方向,从前述第2面露出的前述复 数条导线上一面会藉由前述树脂来覆盖,且从前述 第2面露出的前述一部份导线与前述其他部份的导 线之间的前述第2面是与前述一部份导线的下面及 前述其他部份导线的下面几乎同一面。 6.如申请专利范围第5项记载之半导体装置,其中在 前述复数条导线的端面附着有金属层。 7.一种半导体装置的制造方法,是属于一种具备: 具有上面,下面,2个侧面及端面,且横切延伸方向的 剖面形状为四角形之复数条导线;及 具有第1面,及与前述第1面对向的第2面,以及位于 前述第1面与第2面之间的四个侧面,且以前述复数 条导线的下面能够从前述第2面露出之方式来密封 前述复数条导线之由树脂所构成的密封体; 前述复数条导线中的一部份导线是沿着横切前述 第2面的一边而延伸,前述复数条导线中的其他部 份导线是沿着横切与前述第2面的前述一边呈对向 的另一边的方向而延伸之半导体装置的制造方法, 其特征为: 在夹于复数条导线间的状态下树脂密封抑制树脂 流入的构件之模铸工程;及 在前述模铸工程后,将前述构件由导线间分离之工 程;及 切断前述导线的前端之工程。 8.一种半导体装置的制造方法,是属于一种具备: 具有上面,下面,2个侧面及端面,且横切延伸方向的 剖面形状为四角形之复数条导线;及 具有第1面,及与前述第1面对向的第2面,以及位于 前述第1面与第2面之间的四个侧面,且以前述复数 条导线的下面能够从前述第2面露出之方式来密封 前述复数条导线之由树脂所构成的密封体; 前述复数条导线中的一部份导线是沿着横切前述 第2面的一边而延伸,前述复数条导线中的其他部 份导线是沿着横切与前述第2面的前述一边呈对向 的另一边的方向而延伸之半导体装置的制造方法, 其特征为: 在夹于复数条导线间的状态下树脂密封抑制树脂 流入的构件之模铸工程;及 在前述模铸工程后,将前述构件由导线间分离之工 程;及 在前述导线使附着金属层之工程。 图式简单说明: 图1系实施例1之半导体装置之上面图。 图2系实施例之半导体装置之底面图。 图3系实施例1之半导体装置之侧面图。 图4系图1之A-A剖面之剖面图。 图5系实施例l之半导体装置之放大斜视图。 图6系使用于实施例1以及实施例2之半导体装置之 导线架图。 图7系实施例1之半导体装置之制造流程图。 图8系推回材推落工程之半导体装置之剖面图。 图9系推回材推落之放大斜视图。 图10系实施例2之半导体装置之制造流程图。 图11系实施例3之半导体装置之制造流程图。 图12系使用于实施例3之半导体装置之导线架图。 |
