| 主权项 |
1.一种用将一有机矽酸盐层沈积于一基材上之方 法,该方法至少包含下列步骤: 放置一基材于一沉积室中; 提供一混合气体于该沉积室中,其中该混合气体至 少包含一氟化有机矽酸盐化合物与一氧化气体;及 对该沉积室中之混合气体施以外加电场,以在该基 材上形成一氟化有机矽酸盐层,其中该氟化有机矽 酸盐层的一般化学式为SixOyCzFw,其中x为17~35,y为38~ 55,z为3~8,而w为4~12。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氟化有 机矽酸盐化合物的一般化学式为SiCaFbHc其中a为1~4, b为3~12,而c为0~3。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氟化有 机矽酸盐化合物系由氟化甲基矽烷(SiCF3F9H)、二氟 化甲基矽烷(SiC2F6H2)、三氟化甲基矽烷(SiC3F9H)、四 氟化甲基矽烷(SiC4F12)或上述物质所组成的群组中 选出。 4.如申请专利范围第1项所述方法,其中该氧化气体 系由氧化亚氮(N2O)、氧气(O2)、一氧化碳(CO)、二氧 化碳(CO2)、氮气(N2)或上述气体所组成的群组中选 出。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中对该沉积 室中之混合气体施以外加电场的步骤系加以射频 电源的方式为之。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该射频电 源功率范围为0.3~ 25W/cm2。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该沉积室 压力为0.1~100托耳。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该有机矽 酸盐化合物气体供给至沉积室之气体流率为40~1000 sccm。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该混合气 体供给至沉积室之气体流率为50~1500 sccm。 10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该沉积 室温度为300~450℃。 11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中沈积于 该基材上之氟化有机矽酸盐层的介电常数小于3.5 。 12.一种具有一软体副程式之电脑储存媒体,当执行 该副程式时,一般用途之电脑得以控制一沉积室, 以在该沉积室中形成一沈积层,该电脑储存媒体之 副程式所提供之沈积方法至少包含下列步骤: 放置一基材于一沉积室中; 提供一混合气体于该沉积室中,其中该混合气体至 少包含一氟化有机矽酸盐化合物与一氧化气体;及 对沉积室中之混合气体施以外加电场,以于该基材 上形成一氟化有机矽酸盐层,其中该氟化有机矽酸 盐层的一般化学式为SixOyCzFw,x为17~35,y为38~55,z为3~8 ,而w为4~12。 13.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中该氟化有机矽酸盐化合物的一般化学式为 SiCaFbHc,a为1~4,b为3~12,而c为0~3。 14.如申请专利范围第13项所述之电脑储存媒体,其 中氟化有机矽酸盐化合物系由氟化甲基矽烷(SiCF3H 3)、二氟化甲基矽烷(SiC2F6H2)、三氟化甲基矽烷(Si- C3F9H)、四氟化甲基矽烷(SiC4F12)或上述物质所组成 的群组中选出。 15.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中该氧化气体系由氧化亚氮(N2O)、氧气(O2)、一氧 化碳(CO)、二氧化碳(CO2)、氮气(N2)或上述气体所组 成的群组中选出。 16.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中对沉积室中之混合气体施以外加电场的步骤系 加以射频电源的方式为之。 17.如申请专利范围第16项所述之电脑储存媒体,其 中该射频电源功率为0.3~25W/cm2。 18.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中该沉积室压力为0.1~100托耳。 19.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中供给至该沉积室之有机矽酸盐化合物气体流率 为40~1000 sccm。 20.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中供给至该沉积室之混合气体流率为50~1500 sccm。 21.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中该沉积室温度为300~450℃。 22.如申请专利范围第12项所述之电脑储存媒体,其 中在该基材上沈积之氟化有机矽酸盐层的介电常 数小于3.5。 23.一种制备一元件之方法,该方法至少包含下列步 骤: 沈积一有机矽酸盐层于一基材上,该沉积有机矽酸 盐层之方法至少包含: 放置一基材于一沉积室中; 提供一混合气体于该沉积室中,其中该混合气体至 少包含一氟化有机矽酸盐化合物与一氧化气体;及 对该沉积室中之混合气体施以外加电场,以于该基 材上形成该氟化有机矽酸盐沈积层,其中该氟化有 机矽酸盐层的一般化学式为SixOyCzFw,x为17~35,y为38~ 55,z为3~8,而w为4~12; 界定一图案于该有机矽酸盐沈积层之至少一区域 中;及 以该有机矽酸盐层为一罩幕,将该有机矽酸盐层之 至少一区域的图案转移至一基材上。 24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中包含将 有该机矽酸盐层从该基材上移除之步骤。 25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该基材 上具有一或多种沈积层。 26.如申请专利范围第23项所述之方法,其中界定一 图案于该有机矽酸盐层之至少一区域中的步骤,至 少包含下列步骤: 形成一光能敏阻材料层于一有机矽酸盐层上; 经由辐射曝光将一如该图案之图案影像导至该光 能敏阻材料层上; 将该光能敏阻材料层加以显影;及 以该光能敏阻材料层为一罩幕,将该显影后之光能 敏阻材料层的图案影像转移至一有机矽酸盐沈积 层上。 27.如申请专利范围第24项所述之方法,其中从基材 移除有机矽酸盐层所使用之碳化氟化合物可为氟 化甲烷(CF4)、氟化乙烷(C2F6)或氟化丙烷(C4F8)。 28.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该氟化 有机矽酸盐化合物的一般化学式为SiCaFbHc,a为1~4,b 为3~12,而c为0~3。 29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该氟化 有机矽酸盐化合物系由氟化甲基矽烷(SiCF3H3)、二 氟化甲基矽烷(SiC2F6H2)、三氟化甲基矽烷(SiC3F9H)、 四氟化甲基矽烷(SiC4F12)或上述物质所组成的群组 中选出。 30.如申请专利范围第23项所述之方法,该氧化气体 系由氧化亚氮(N2O)、氧气(O2)、一氧化碳(CO)、二氧 化碳(CO2)、氮气(N2)或上述气体所组成的群组中选 出。 31.如申请专利范围第23项所述之方法,其中对该沉 积室中之混合气体施以外加电场的步骤系加以射 频电源的方式为之。 32.如申请专利范围第31项所述之方法,其中该射频 电源功率为0.3~ 25W/cm2。 33.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该沉积 室压力为0.1~100托耳。 34.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该有机 矽酸盐化合物气体供给至沉积室之气体流率为40~ 1000 sccm。 35.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该混合 气体供给至沉积室之气体流率为50~1500 sccm。 36.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该沉积 室温度为300~450℃。 37.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该基材 上沈积之氟化有机矽酸盐层的介电常数小于3.5。 38.一种制备一镶嵌结构之方法,该方法至少包含下 列步骤: 沈积第一介电层于一基材上; 沈积一氟化有机矽酸盐层于该第一介电层上,该沉 积氟化有机矽酸盐层之方法至少包含: 放置该基材于一沉积室中; 提供一混合气体于该沉积室中,其中该混合气体至 少包含一氟化有机矽酸盐化合物与一氧化气体;及 对该沉积室中之混合气体施以外加电场,以于该基 材上形成该氟化有机矽酸盐沈积层,其中该氟化有 机一矽酸盐层的一般化学式为SixOyCzFw,x为17~35,y为 38~55,z为3~8,而w为4~12; 将该氟化有机矽酸盐沈积层加以图案化后,经界定 区域之接触洞/介电孔便因此形成; 沈积一第二介电层于该经图案化之氟化有机矽酸 盐层上; 将该第二介电沈积层加以图案化,经界定区域之内 连接便因此形成,于是该介电层之内连接就位于氟 化有机矽酸盐层之接触洞/介电孔上方; 将该第一介电层形成之接触洞∕介电孔加以蚀刻; 及 将一导电材料填充于该接触洞/介电孔与内连接之 内。 39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该第一 与第二介电层系由非晶碳、聚对二甲苯(parylene)、 氟化有机矽酸盐玻璃(FSG)、AF4、BCB、碳化矽、氧 氮化物或上述物质所组成的群组中选出。 40.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该导电 材料用以接触洞∕介电孔与内连接,系由铜、铝、 钨或上述金属所组成的群组中选出。 41.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该氟化 有机矽酸盐化合物的一般化学式为SiCaFbHc,a为1~4,b 为3~12,而c为0~3。 42.如申请专利范围第41项所述之方法,其中该氟化 有机矽酸盐化合物系由氟化甲基矽烷(SiCF3H3)、二 氟化甲基矽烷(SiC2F6H2)、三氟化甲基矽烷(SiC3F9H)、 四氟化甲基矽烷(SiC4F12)或上述物质所组成的群组 中选出。 43.如申请专利范围第38项所述之方法,该氧化气体 系由氧化亚氮(N2O)、氧气(O2)、一氧化碳(CO)、二氧 化碳(CO2)、氮气(N2)或上述气体所组成的群组中选 出。 44.如申请专利范围第38项所述之方法,其中对该沉 积室中之混合气体施以外加电场的步骤系加以射 频电源的方式为之。 45.如申请专利范围第44项所述之方法,其中该射频 电源功率为0.3~ 25W/cm2。 46.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该有机 矽酸盐化合物气体供给至沉积室之气体流率为40~ 1000 sccm。 47.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该混合 气体供给至沉积室之气体流率为50~1500 sccm。 48.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该沉积 室压力为0.1~100托耳。 49.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该沉积 室温度为300~450℃。 50.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该基材 上沈积之氟化有机矽酸盐层的介电常数小于3.5。 图式简单说明: 第1a-1b图为本发明之各实施例所使用之设备说明 。 第2a-2e图为一基材在积体电路制造不同阶段时的 剖面示意图,其中以一氟化有机矽酸盐层作为一硬 式罩幕。 第3a-3d图为一镶嵌结构在积体电路制造不同阶段 时的剖面示意图,其中一氟化有机矽酸盐层被用于 该镶嵌结构中。 |
