发明名称 有机发光二极体及包含该有机发光二极体之显示装置
摘要 本发明系提供一种有机发光二极体,包括:一阴极与一阳极,一发光层,设置于该阴极与该阳极之间,一掺杂型电子传输层,设置于该阴极与该发光层之间,以及一金属离子捕捉层,设置于该掺杂型电子传输层与该发光层之间,以捕捉来自该掺杂型电子传输层之金属离子。本发明亦提供一种包含该有机发光二极体之显示装置。
申请公布号 TWI249971 申请公布日期 2006.02.21
申请号 TW094103958 申请日期 2005.02.05
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 刘 炘
分类号 H05B33/10;G09F9/30 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种有机发光二极体,包括: 一阴极与一阳极; 一发光层,设置于该阴极与该阳极之间; 一掺杂型电子传输层,设置于该阴极与该发光层之 间;以及 一金属离子捕捉层,设置于该掺杂型电子传输层与 该发光层之间,以捕捉来自该掺杂型电子传输层之 金属离子。 2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该阴极与该阳极之至少一者系为一透明电极。 3.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体,其 中该阴极与该阳极系包含金属、金属合金、透明 金属氧化物或上述之混合层。 4.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体,其 中该阴极与该阳极之材质系相同。 5.如申请专利范围第2项所述之有机发光二极体,其 中该阴极与该阳极之材质系不同。 6.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该发光层系为萤光或磷光发光材。 7.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该掺杂型电子传输层系由掺杂硷金族或硷土族 之有机材料所组成。 8.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中该掺杂型电子传输层系由掺杂硷金族或硷土族 之无机材料所组成。 9.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体,其 中来自该掺杂型电子传输层之金属离子系包括硷 金族或硷土族离子。 10.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该金属离子捕捉层系能与金属离子产生螯合 作用之有机或无机材料所组成。 11.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 其中该金属离子捕捉层系由BPhen(bathophenanthro1ine) 、BCP(bathocuproin)或其他啡林(phenanthroline)衍生物所 组成。 12.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体, 更包括至少其中之一电洞注入层或一电洞传输层, 设置于该阳极与该发光层之间。 13.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体, 其中该电洞注入层系由碳氢氟聚合物、( porphyrin)衍生物或p-型氨衍生物所组成。 14.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体, 其中该电洞传输层系由氨衍生物所组成。 15.一种显示装置,包含如申请专利范围第1项所述 之有机发光二极体。 图式简单说明: 第1图系为习知有机发光二极体结构之剖面示意图 。 第2图系为本发明有机发光二极体结构之剖面示意 图。 第3图系为本发明显示装置结构之上视图。 第4图系显示本发明有机发光二极体电压-电流密 度之关系图。 第5图系显示本发明有机发光二极体电压-发光亮 度之关系图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号