电路阵列基板

摘要

本发明摘要如下。于一玻璃基板3上形成互相绝缘的多晶矽半导体层21与虚拟多晶矽半导体层25。于多晶矽半导体层21、虚拟多晶矽半导体层25以及玻璃基板3上形成闸极绝缘膜31。闸极绝缘膜31会被复数条扫描与闸极线路11覆盖，其会与多晶矽半导体层21及虚拟多晶矽半导体层25重叠。多晶矽半导体层21会和扫描与闸极线路11耦合，用以界定电容器Ca ,而且还会和一参考电位耦合，用以界定电容器 Cb。同样地，虚拟多晶矽半导体层25会和扫描与闸极线路11耦合，用以界定复数个电容器Cc ,而且还会和一参考电位耦合，用以界定电容器Cd。电容器Cc与Cd会提高与Ca及 Cb并联的电容，用以抑制于形成该等扫描与闸极线路11之后因制程中所产生之静电电荷而造成外加于扫描与闸极线路11及多晶矽半导体层21间之闸极绝缘膜31上的电压升高的情形。因此，其可抑制闸极绝缘膜31处之静电崩溃现象以及像素5的点缺陷现象。

主权项

1.一种电路阵列基板,其包括: 一透光基板; 一形成于该透明基板上的薄膜电晶体,其具有一第 一半导体层、一闸极绝缘膜与一闸极线路;以及 一形成于该透明基板上的第二半导体层, 其中该闸极线路会介以该闸极绝缘膜与该等第一 与第二半导体层重叠。 2.如请求项1之电路阵列基板,其中会于一制程中制 造该第一半导体层,以及 会于和该第一半导体层相同的制程中来制造该第 二半导体层。 3.如请求项2之电路阵列基板,其中该闸极绝缘膜系 形成于该透明基板之上,以及 该闸极线路系形成于该闸极绝缘膜之上。 4.如请求项3之电路阵列基板,其进一步包括一第一 绝缘膜,用以覆盖该闸极线路与该闸极绝缘膜,其 中该第一绝缘膜系用电浆化学气相沉积法所制成, 该透明基板系一玻璃基板,以及 该等第一与第二半导体层系多晶矽半导体层。 5.如请求项4之电路阵列基板,其进一步包括介以该 第一绝缘膜而形成于该第二半导体层之上的视讯 信号线路。 6.如请求项5之电路阵列基板,其进一步包括一形成 于该视讯信号线路与该第一绝缘膜之上的保护膜, 以及 一形成于该保护膜之上的彩色层; 其中该第二半导体层系供该彩色层使用。 7.如请求项1至6中其中一项之电路阵列基板,其中 电容器群Ca系介以该透明基板被界定于该第一半 导体层和一参考电位之间, Cb系介以该闸极绝缘膜被界定于该第一半导体层 和该闸极线路之间, Cc系介以该透明基板被界定于该第二半导体层和 该参考电位之间,以及 Cd系被界定于该第二半导体层和该闸极线路之间, 以及 该等电容器群满足下面的公式:Ca/(Ca+Cb)