| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体阵列基板结构,包括: 一透明基板; 复数个薄膜电晶体,该些薄膜电晶体配置于该透明 基板上,其中每一该些薄膜电晶体包括一闸极与一 源极/汲极; 复数个扫描配线,配置于该透明基板上,且该些扫 描配线与该些闸极连接; 复数个资料配线,配置于该透明基板上,且该些资 料配线与该些源极/汲极电性连接; 至少一含氢介电层,该含氢介电层配置于该透明基 板上,并覆盖住该些薄膜电晶体,其中该含氢介电 层的材质系选自有机材料层,含水之旋涂式玻璃, 有机材料层、氧矽化物以及氮矽化物之混合物,含 水之旋涂式玻璃、氧矽化物以及氮矽化物之混合 物,以及含有Si-H键结或是Si-OH键结之溶胶-凝胶(So- gel)形成的薄膜所组之族群其中之一;以及 一图案化导体层,该图案化导体层配置于该含氢介 电层上,且该图案化导体层系与该些源极/汲极电 性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该含氢介电层系为一内介电层。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该含氢介电层系为一平坦层。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该含氢介电层系为一反射凸块层。 5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该含氢介电层系为一广视角凸块层。 6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该些薄膜电晶体系为非晶矽薄膜电晶 体。 7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该些薄膜电晶体系为多晶矽薄膜电晶 体。 8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该些薄膜电晶体系为顶电极型态之薄 膜电晶体。 9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该些薄膜电晶体系为底电极型态之薄 膜电晶体。 10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该图案化导体层包括复数个画素电极 。 11.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该些画素电极系为穿透式电极。 12.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体阵列基 板结构,其中该些画素电极系为反射式电极。 图式简单说明: 第1图绘示为依照本发明一较佳实施例薄膜电晶体 阵列基板之布局示意图; 第2图绘示为依照本发明一较佳实施例穿透式薄膜 电晶体阵列基板之剖面示意图;以及 第3图绘示为依照本发明一较佳实施例反射式薄膜 电晶体阵列基板之剖面示意图。 |
