| 主权项 |
1.一种半导体装置用图案制作方法,其包含: 由图案布局抽出一部分区域之工序; 对包含于上述一部分区域之图案施予扰动( perturbation)而生成扰动图案之工序; 修正上述扰动图案之工序; 由上述修正之扰动图案预测形成于晶圆上之第一 图案之工序; 求得上述扰动图案与上述第一图案之第一差异之 工序;及 记忆包含关于上述第一差异之资讯之关于上述扰 动图案之资讯之工序。 2.如请求项1之图案制作方法,其中进一步包含: 修正上述图案布局之工序; 由上述修正之图案布局预测形成于晶圆上之第二 图案之工序; 求得包含于上述图案布局之图案与上述第二图案 之第二差异之工序; 判断上述第二差异是否满足特定条件之工序; 判断为上述第二差异未满足特定条件时,使用关于 上述扰动图案之资讯产生对上述图案布局之修正 指针之工序; 遵照上述修正指针修正上述图案布局之工序;及 判断为上述第二差异满足特定条件时,将上述图案 布局决定作为最终图案布局之工序。 3.如请求项1之图案制作方法,其中 修正上述扰动图案之工序包含进行近接效应修正( proximity correction)之工序。 4.如请求项1之图案制作方法,其中 预测上述第一图案之工序系考虑包含近接效应( proximity effect)之特定误差要因而进行。 5.如请求项1之图案制作方法,其中 生成上述扰动图案之工序包含; 将包含于上述一部分区域之图案之外周线分割为 复数线分之工序;及 移动上述分割之线分中之希望线分之工序。 6.如请求项1之图案制作方法,其中 生成上述扰动图案之工序包含放大或缩小包含于 上述一部分区域之图案之工序。 7.如请求项1之图案制作方法,其中 生成上述扰动图案之工序包含; 将包含于上述一部分区域之图案分割为复数图形 之工序;及 移动上述分割之图形中之希望图形之工序。 8.如请求项1之图案制作方法,其中 生成上述扰动图案之工序包含对包含于上述一部 分区域之图案之特定处施予扰动之工序; 求得上述第一差异之工序包含针对上述特定处及 上述特定处附近之处,求得上述扰动图案与上述第 一图案之差异之工序。 9.如请求项2之图案制作方法,其中 判断上述第二差异是否满足特定条件之工序包含: 抽出包含于上述图案布局之图案与上述第二图案 之差异为特定値以下之处之工序;及 判断可否缩小上述抽出之处之图案布局之工序。 10.如请求项2之图案制作方法,其中 判断为上述第二差异未满足特定条件时,设定对应 于上述第二差异为特定値以上之处之区域作为上 述一部分区域。 11.如请求项2之图案制作方法,其中 进一步包含使关于上述修正指针之资讯反映到上 述图案布局之设计规则之工序。 12.一种光罩之制造方法,其包含:于光罩基板上形 成之光罩图案之工序,该光罩图案系基于藉由请求 项2之图案制作方法所得之上述最终的图案布局。 13.一种半导体装置之制造方法,其包含:将藉由请 求项12之光罩制造方法所得之上述光造图案投影 于晶圆上之光阻之工序。 14.一种记录媒体,其系储存有适用于半导体装置用 之图案制作之程式命令之可电脑读取者,且 上述程式命令系使电脑执行; 由图案布局抽出一部分区域之程序; 对包含于上述一部分区域之图案施予扰动而生成 扰动图案之程序; 修正上述扰动图案之程序; 由上述修正之扰动图案预测形成于晶圆上之第一 图案之程序; 求得上述扰动图案与上述第一图案之第一差异之 程序;及 记忆包含关于上述第一差异之资讯之关于上述扰 动图案之资讯之程序。 图式简单说明: 图1系说明本发明之第一实施形态之方法之流程图 。 图2系表示关于本发明之实施形态,由图案布局抽 出之一部分区域之图。 图3系表示关于本发明之实施形态,代表点之一例 之图。 图4系表示本发明之实施形态之方法之一部分之说 明图。 图5系表示本发明之实施形态之方法之一部分之说 明图。 图6系表示关于本发明之实施形态,代表点之一例 之图。 图7系表示关于本发明之实施形态,求得扰动图案 与预测形状图案之差异之方法之一例之图。 图8系说明本发明之第二实施形态之方法之流程图 。 图9系说明本发明之第3实施形态之方法之流程图 。 图10系表示关于本发明之实施形态,光罩之制造方 法及半导体装置之制造方法之流程图。 |
