| 主权项 |
1.一种导线架型式半导体封装件,系至少包括: 一导线架,具有复数导脚; 一晶片,系电性连接至该复数导脚; 一导热件,系结合于该导线架与该晶片之间,且电 性连接至该晶片;以及 一封装胶体,用以包覆该晶片、导热件与导线架, 且至少局部外露该复数导脚。 2.如申请专利范围第1项之导线架型式半导体封装 件,其中,该晶片具有复数焊垫,且各焊垫分别对应 电性连接至导热件及复数导脚。 3.如申请专利范围第2项之导线架型式半导体封装 件,其中,该复数焊垫系藉由焊线分别对应连接至 导热件及复数导脚。 4.如申请专利范围第2项之导线架型式半导体封装 件,其中,该复数焊垫系区分为信号焊垫、电源焊 垫、以及接地焊垫,而该导热件系对应电性连接至 该接地焊垫。 5.如申请专利范围第2项之导线架型式半导体封装 件,其中,该导热件系具有一对应于复数焊垫相对 位置之开孔。 6.如申请专利范围第5项之导线架型式半导体封装 件,其中,该导热件底面复具有一用以容置晶片之 凹槽。 7.如申请专利范围第5项之导线架型式半导体封装 件,其中,该导热件复具有至少一外接部,且该外接 部一端系外露于该封装胶体。 8.如申请专利范围第7项之导线架型式半导体封装 件,其中,该外接部一端系外露于该封装胶体底面 。 9.如申请专利范围第7项之导线架型式半导体封装 件,其中,该外接部系由导热件之边缘向下延伸而 成者。 10.如申请专利范围第5项之导线架型式半导体封装 件,其中,该导热件系完全覆盖住该晶片对应复数 焊垫以外之区域。 11.如申请专利范围第1项之导线架型式半导体封装 件,其中,该导热件系呈中央具有开孔之四边形结 构。 12.如申请专利范围第11项之导线架型式半导体封 装件,其中,该四边形系选自正方形及矩形之其中 一者。 13.如申请专利范围第1项之导线架型式半导体封装 件,复包括一用以结合该导热件与晶片之黏结层。 14.如申请专利范围第13项之导线架型式半导体封 装件,其中,该黏结层系选自绝缘贴带与黏胶之其 中一者。 15.如申请专利范围第1项之导线架型式半导体封装 件,复包括一用以结合该导热件与导线架之介电层 。 16.如申请专利范围第15项之导线架型式半导体封 装件,其中,该介电层系选自绝缘贴带、FR-4基板、 以及绝缘薄膜之其中一者。 17.如申请专利范围第1项之导线架型式半导体封装 件,其中,该导热件具有相近于该晶片之热膨胀系 数。 18.如申请专利范围第17项之导线架型式半导体封 装件,其中,该导热件系为选自铜质及铝质之其中 一种散热片。 19.一种导线架型式半导体封装件之制法,系包括以 下步骤: 提供一具有开孔之导热件、一具有复数导脚之导 线架、及一具有复数焊垫之晶片; 以一介电层结合该导线架与该导热件; 以一黏结层结合该晶片与该导热件,并使复数焊垫 对应位于该开孔; 以复数焊线穿过该开孔而分别连接该复数焊垫与 导热件及对应之复数导脚;以及 以封装胶体包覆该晶片、导热件与导线架,而制得 至少局部外露该复数导脚之半导体封装件。 20.如申请专利范围第19项之制法,其中,该导热件底 面复具有一用以容置该晶片之凹槽。 21.如申请专利范围第19项之制法,其中,该导热件复 具有至少一外接部,且该外接部一端系外露于该封 装胶体。 22.如申请专利范围第21项之制法,其中,该外接部一 端系外露于该封装胶体底面。 23.如申请专利范围第21项之制法,其中,该外接部系 由导热件之边缘向下延伸而成者。 24.如申请专利范围第19项之制法,其中,该导热件系 完全覆盖住该晶片对应复数焊垫以外之区域。 25.如申请专利范围第19项之制法,其中,该导热件系 呈中央具有开孔之四边形结构。 26.如申请专利范围第25项之制法,其中,该四边形系 选自正方形及矩形之其中一者。 27.如申请专利范围第19项之制法,其中,该黏结层系 选自绝缘贴带与黏胶之其中一者。 28.如申请专利范围第19项之制法,其中,该介电层系 选自绝缘贴带、FR-4基板、以及绝缘薄膜之其中一 者。 29.如申请专利范围第19项之制法,其中,该导热件具 有相近于该晶片之热膨胀系数。 30.如申请专利范围第29项之制法,其中,该导热件系 为选自铜质及铝质其中一种散热片。 31.一种导线架型式半导体封装件之制法,系包括以 下步骤: 提供一具有开孔之导热件、一具有复数导脚之导 线架、及一具有复数焊垫之晶片; 以一黏结层结合该晶片与该导热件,并使复数焊垫 对应位于该开孔; 以一介电层结合该导线架与该导热件; 以复数焊线穿过该开孔而分别连接该复数焊垫与 导热件及对应之复数导脚;以及 以封装胶体包覆该晶片、导热件与导线架,而制得 至少局部外露该复数导脚之半导体封装件。 32.如申请专利范围第31项之制法,其中,该导热件底 面复具有一用以容置该晶片之凹槽。 33.如申请专利范围第31项之制法,其中,该导热件复 具有至少一外接部,且该外接部一端系外露于该封 装胶体。 34.如申请专利范围第33项之制法,其中,该外接部一 端系外露于该封装胶体底面。 35.如申请专利范围第33项之制法,其中,该外接部系 由导热件之边缘向下延伸而成者。 36.如申请专利范围第31项之制法,其中,该导热件系 完全覆盖住该晶片对应复数焊垫以外之区域。 37.如申请专利范围第31项之制法,其中,该导热件系 呈中央具有开孔之四边形结构。 38.如申请专利范围第37项之制法,其中,该四边形系 选自正方形及矩形之其中一者。 39.如申请专利范围第31项之制法,其中,该黏结层系 选自绝缘贴带与黏胶之其中一者。 40.如申请专利范围第31项之制法,其中,该介电层系 选自绝缘贴带、FR-4基板、以及绝缘薄膜之其中一 者。 41.如申请专利范围第31项之制法,其中,该导热件具 有相近于该晶片之热膨胀系数。 42.如申请专利范围第41项之制法,其中,该导热件系 为选自铜质及铝质之其中一种散热片。 图式简单说明: 第1图系显示第6,087,586号美国专利案之结构示意图 ; 第2图系显示本发明之半导体封装件第一实施例示 意图; 第3图系显示本发明之半导体封装件第二实施例示 意图; 第4图系显示本发明之半导体封装件第三实施例示 意图;以及 第5图系显示本发明之半导体封装件第四实施例示 意图。 |
