| 主权项 |
1.一种电浆监视方法,其特征在于: 其系于将分子型原料气体与稀有气体导入处理气 体环境内并进行电浆处理时,检测因上述分子型原 料气体之解离所产生的原子自由基量者;且 自于上述处理气体环境内之上述分子型原料气体 之分压、上述稀有气体之发光强度、及于上述处 理气体环境内之该稀有气体的分压,求得该分子型 原料气体之解离度,并自该解离度预测上述原子自 由基量。 2.如请求项1之电浆监视方法,其中 上述解离度系自上述处理气体环境内之上述分子 型原料气体之分压P1、上述稀有气体之发光强度I 、及于上述处理气体环境内之该稀有气体的分压P 2,藉由解离度E=P1(I/P2)求得。 3.如请求项1之电浆监视方法,其中 上述稀有气体使用稀有气体中具有更接近于上述 分子型原料气体之解离冲突剖面积的发光冲突剖 面积者。 4.一种电浆处理方法,其特征在于: 其系将分子型原料气体与稀有气体导入处理气体 环境内并进行者;且 自于上述处理气体环境内之上述分子型原料气体 之分压、上述稀有气体之发光强度、及于上述处 理气体环境内之该稀有气体的分压,求得该分子型 原料气体之解离度,并自该解离度预测上述原子自 由基量, 控制处理条件使上述原子自由基量成为特定之原 子自由基量。 5.一种半导体装置之制造方法,其特征在于: 其系藉由电浆处理进行基板表面加工者;且 将分子型原料气体与惰性气体导入进行电浆处理 之处理气体环境内, 自于上述处理气体环境内之上述分子型原料气体 之分压、上述稀有气体之发光强度、及于上述处 理气体环境内之该稀有气体的分压,求得该分子型 原料气体之解离度,并自该解离度预测上述原子自 由基量, 控制处理条件使上述原子自由基量成为特定之原 子自由基量,一面进行上述电浆处理。 6.一种电浆处理装置,其特征在于包含: 处理室,其于内部进行电浆处理; 发光检测机构,其检测于上述处理室内之特定波长 之发光; 演算机构,其自于上述处理室内之分子型原料气体 之分压、藉由上述发光检测机构所测定之稀有气 体的发光强度、及于上述处理室内之稀有气体之 分压,求得该分子型原料气体之解离度;及 制程控制机构,其依据自以上述演算机构求得之解 离度所预测之原子自由基量,控制处理条件。 图式简单说明: 图1系表示分子型原料气体之解离度及与原子自由 基量成正比之处理率之关系的曲线图。 图2系实施形态之电浆处理装置之结构图。 图3(1)、(2)系说明半导体装置之制造方法的第1例 及第2例之剖面步骤图。 图4系说明半导体装置之制造方法的第3例之剖面 步骤图。 图5(1)、(2)系说明半导体装置之制造方法的第4例 之剖面步骤图。 图6(1)、(2)系表示先前适用电浆处理之半导体装置 之制造步骤之一例的剖面步骤图。 图7系将藉由感光测定法求得之氧自由基量与光阻 之灰化率作为纵轴之曲线图。 |
