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1.一种矽玻璃工模,属于制造半导体的工程所使用 的矽玻璃工模,其特征为: 使用触针部前端的R为2至10m的范围的触针型表 面粗糙度测定装置测定在其表面的中心线平均粗 糙度Ra以0.1至20m的凹凸存在,且依据浓度3.0至4.0% 而液温17至23℃的氟化氢水溶液蚀刻15至17小时者, 及蚀刻前的该表面的JISB0601的中心线平均粗糙度Ra ,其中心线平均粗糙度的变化率为50%以下。 2.如申请专利范围第1项所述的矽玻璃工模,其中, 具有存在于表面的凹凸以中心线粗糙度Ra0.1至20 m,且大波状凹凸与存在于其表面的微细又浅的碗 状凹部所构成的多重构造;上述碗状凹部是底部深 度比凹部的缘径小又浅,且相邻接的凹部间的境界 缘部不是锐角的凸部。 3.一种矽玻璃工模的制造方法,其特征为:在矽玻璃 表面交互地重复适用两次以上适用物理式表层除 去手段之后,适用含有氟化氢溶液的化学式表层除 去手段的工程。 4.如申请专利范围第3项所述的矽玻璃工模的制造 方法,其中,以物理式表层除去手段所形成的表面 凹凸愈后续工程依次变小。 5.如申请专利范围第3项所述的矽玻璃工模的制造 方法,其中,以最初的物理式表层除去手段形成Ra为 0.1至20m范围以上的凹凸。 6.如申请专利范围第4项所述的矽玻璃工模的制造 方法,其中,以最初的物理式表层除去手段所形成 的凹凸为中心线平均粗糙度Ra为0.1至20m范围以 上。 7.如申请专利范围第3项至第6项中任一项所述的矽 玻璃工模的制造方法,其中,物理式表层除去手段 为依固定砥粒砥石的研削处理,依游离砥粒的研磨 处理,依游离砥粒的喷砂处理,液体搪光处理或是 这些组合的任一种。 8.如申请专利范围第3项所述的矽玻璃工模的制造 方法,其中,实行在最后的物理式表层除去手段之 后的化学式表层除去手段为依含有氟化氢与氟化 铵的溶液的处理。 9.如申请专利范围第3项或第8项所述的矽玻璃工模 的制造方法,其中,化学式表层除去手段中的至少 一种,适用依含有分散粒径10至200m的树脂,二氧 化矽或陶瓷的任一微粒子的氟化氢溶液的处理。 10.如申请专利范围第3项所述的矽玻璃工模的制造 方法,其中,在适用最后的化学式表层除去手段之 后再适用超音波振动或搅拌手段。 图式简单说明: 第1图是表示以显微镜观察实施例的乾蚀刻用工模 表面的500倍的照片。 第2图是表示将实施例1的乾蚀刻用工模表面浸渍16 小时在3.5质量%的氢氟酸后以显微镜观察的500倍的 照片。 第3图是表示以扫描电子显微镜观察实施例1的乾 蚀刻用工模表面的500倍的照片。 第4图是表示以扫描电子显微镜观察实施例2的晶 舟200倍的照片。 第5图是表示以扫描电子显微镜观察实施例2的晶 舟1000倍的照片 第6图是表示将实施例2的晶舟以3.5%氢氟酸溶液进 行16小时的蚀刻测试之后的以SEM所观察的200倍的 照片。 第7图是表示将实施例2的晶舟以3.5%氢氟酸溶液进 行16小时的蚀刻测试之后的以SEM所观察的1000倍的 照片。 第8图是表示以SEM观察比较例2的晶舟的200倍的照 片。 第9图是表示以SEM观察比较例2的晶舟的1000倍的照 片。 第10图是表示将比较例2的晶舟以3.5%氢氟酸溶液进 行16小时的蚀刻测试之后的SEM所观察的200倍的照 片。 第11图是表示将比较例2的晶舟以3.5%氢氟酸溶液进 行16小时的蚀刻测试之后的SEM所观察的1000倍的照 片。 |
