| 主权项 |
1.一种半导体晶片封装构造,其包含: 一半导体晶片; 一金属层直接形成于该晶片之背面上; 一封胶体包覆该晶片使得该晶片背面之金属层系 裸露于该封胶体之下表面,该封胶体具有复数个突 出部突出于该封胶体之下表面;及 复数条连接线,其一端电性连接于该半导体晶片, 另一端裸露于该封胶体之复数个突出部。 2.依申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其 中该连接线为金线。 3.依申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其 中该金属层材质为金。 4.依申请专利范围第1项之半导体晶片封装构造,其 中该连接线于该复数个突出部之纵向裸露长度是 该复数条连接线线径约四倍以上。 5.一种半导体晶片封装构造制造方法,其包含下列 步骤; 提供一胶带包含一第一胶层于其上表面,及一第二 胶层于其下表面,该胶带具有复数的孔穴; 将该胶带藉由下表面之第二胶层固定于一硬质金 属平板,以形成一胶带平板复合体; 将一半导体晶片藉由该胶带上表面之第一胶层固 定于该胶带平板复合体上使得该胶带的孔穴系位 于在该半导体晶片的四周; 将复数条连接线的第一端分别电性连接该半导体 晶片,其第二端分别穿过相对应该胶带的孔穴而连 接至至该金属硬质平板; 形成一封胶体至少覆盖该半导体晶片、该复数条 连接线以及该胶带平板复合体表面之一部份;及 在该封胶步骤形成之后,移除该金属硬质平板及胶 带,使得该复数条连接线的第二端裸露于该封胶体 外。 6.依申请专利范围第5项之半导体晶片封装构造制 造方法,其中该连接线为金线。 7.依申请专利范围第5项之半导体晶片封装构造制 造方法,其中该胶带为具有一矽树脂(silicones)胶层 之聚酯(polyester)或聚醯亚胺(polyimide)胶带。 8.一种半导体晶片封装构造制造方法,其包含下列 步骤; 提供一胶带包含一第一胶层于其上表面,及一第二 胶层于其下表面,该胶带具有复数的孔穴; 将该胶带藉由下表面之第二胶层固定于一硬质金 属平板,以形成一胶带平板复合体; 形成一金属薄镀层于该胶带平板复合体未为该胶 带覆盖之处; 将一半导体晶片固定于该胶带平板复合体上,使得 该胶带的孔穴系位于在该半导体晶片的四周; 将复数条连接线的第一端分别电性连接至该半导 体晶片,其第二端分别穿过相对应该胶带的孔穴而 连接至该金属硬质平板上之金属薄镀层; 形成一封胶体至少覆盖该半导体晶片、该复数条 连接线以及该胶带平板复合体表面之一部份;及 在该封胶步骤形成之后,移除该金属硬质平板、胶 带及该金属薄镀层,使得该复数条连接线的第二端 裸露于该封胶体外。 9.依申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造制 造方法,其中该连接线为金线。 10.依申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造制 造方法,其中该金属薄镀层材质为金。 11.依申请专利范围第8项之半导体晶片封装构造制 造方法,其中该胶带为一具有一矽树脂(silicones)胶 层之聚酯(polyester)或聚醯亚胺(polyimide)胶带。 12.一种半导体晶片封装构造制造方法,其包含下列 步骤; 提供一胶带包含一第一胶层于其上表面,及一第二 胶层于其下表面,该胶带具有复数个孔穴; 将该胶带藉由下表面之第二胶层固定于一非金属 硬质平板,以形成一胶带平板复合体; 无电极电镀一金属薄镀层于该胶带平板复合体之 表面上; 将一半导体晶片固定于该胶带平板复合体之金属 薄镀层上,使得该胶带的孔穴系位于在该半导体晶 片的四周; 将复数条连接线的第一端分别电性连接至该半导 体晶片,其第二端分别穿过该胶带的孔穴而连接至 该非金属硬质平板上之金属薄镀层; 形成一封胶体至少覆盖该半导体晶片、该复数条 连接线以及该胶带平板复合体表面之一部份;及 在封胶步骤形成之后,移除该非金属硬质平板、胶 带及该金属薄镀层,使得该复数条连接线的第二端 裸露于该封胶体外。 13.依申请专利范围第12项之半导体晶片封装构造 制造方法,其中该连接线为金线。 14.依申请专利范围第12项之半导体晶片封装构造 制造方法,其中该金属薄镀层材质为金。 15.依申请专利范围第12项之半导体晶片封装构造 制造方法,其中该胶带为一具有一矽树脂(silicones) 胶层之聚酯(polyester)或聚醯亚胺(polyimide)胶带。 图式简单说明: 第1图:习用半导体晶片封装构造之剖面图; 第2图:另一习用半导体晶片封装构造之剖面图; 第3图:根据本发明较佳实施例之半导体晶片封装 构造之剖面图; 第4图:根据本发明第3图之半导体晶片封装构造之 下视图; 第5a图至第5d图:其系用以说明根据本发明第一较 佳实施例之半导体晶片封装构造制造方法; 第6图:根据本发明第5c图之部分放大剖视图,其揭 示一连接线压接于一金属硬质平板; 第7图:根据本发明第4图半导体晶片封装构造之部 分放大下视图,其揭示一连接线裸露于封胶体突出 部之鱼尾状压接面; 第8a图至第8c图:其系用以说明根据本发明第二较 佳实施例之半导体晶片封装构造之方法;及 第9a图至第9d图:其系用以说明根据本发明第三较 佳实施例之半导体晶片封装构造之方法。 |
