| 主权项 |
1.一种微影投射装置,包括: -一辐射系统,用以供应极紫外光(EUV)辐射投射光束 ; -一支撑结构,用以支撑定图案构件,该定图案构件 用以根据一期望图案将该投射光束定图案; -一基板桌,用以支持一基板; -一投射系统,用以将该定图案光束投射至该基板 的一目标部分上; 其特征为: 该辐射或投射系统中之至少一光学元件,该投射束 入射至该光学元件表面,使该表面具有一疏水性自 组装单层。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该自组装单层 系一烷基矽烷基自组装单层。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中该烷基矽烷具 有一C6-22烷基或全氟烷基链。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中该自组装单层 系由Z3C-(CF2)n-(CH2)m-SiX3形成,其中: Z系H或F; n及m独立为从0至21之任何数,其中n+m至少为5;及 X系卤化物、烷氧基或羟基。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中该自组装单层 系由包括CH3(CH2)9 SiX3、CH3(CH2)11SiX3、CH3(CH2)15 SiX3、 CH3(CH2)17SiX3、CH3(CH2)21 SiX3、CF3(CF2)5(CH2)2SiX3、CF3(CF2 )7(CH2)2SiX3或CF3(CF2)9(CH2)2 SiX3之基板所形成,其中X系 卤化物、烷氧基或羟基。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中该单层之厚度 系从0.5至10奈米(nm)。 7.如申请专利范围第6项之装置,其中该单层之厚度 系从1至5nm。 8.如申请专利范围第6项之装置,其中该单层之厚度 系从1至2.5nm。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中该反射光学元 件系一多层镜。 10.如申请专利范围第1项之装置,其中该支撑结构 包括一罩幕桌,用以支持一罩幕。 11.如申请专利范围第1项之装置,其中该辐射系统 包括一辐射源。 12.一种光学元件,其在5至50nm波长范围中具有一反 射性峰値,其中该光学元件在其表面具有一疏水性 自组装单层。 13.一种装置制造方法,包括以下步骤: -提供一基板,其至少由一辐射感应材料层部分覆 盖; -使用一辐射系统提供一EUV辐射之投射光束; -使用定图案构件以赋予该投射光束之截面一图案 ; -将该辐射图案光束投射在该辐射感应材料层之目 标部分; 其特征为: 至少一光学元件,该辐射投射束入射至该光学元件 上,使其表面具有一疏水性自组装单层。 14.一种将一自组装单层施加至一微影投射装置中 之光学元件表面之方法,该方法包括将一修正剂释 入该微影投射装置之真空室内,该光学元件系在该 真空室内。 图式简单说明: 图1系描述本发明之一具体态样之微影投射装置; 及 图2系示意描述本发明投射系统中之光学元件。 |
