发明名称 双层复晶电容层的制造方法
摘要 一种双层复晶电容层的制造方法,其方法系提供一基底,且基底上已形成有隔离结构。再于基底上形成第一薄导体层。之后,于第一薄导体层上形成图案化之介电层,其中介电层系位于隔离结构之上。再于第一薄导体层之上形成第二薄导体层。接着,图案化第二薄导体层及第一薄导体层,以于基底上分别形成闸极、第一电阻、第二电阻、及电容结构。
申请公布号 TW200607076 申请公布日期 2006.02.16
申请号 TW093123766 申请日期 2004.08.09
申请人 汉磊科技股份有限公司 发明人 许修文
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区创新一路18号