发明名称 | 双层复晶电容层的制造方法 | ||
摘要 | 一种双层复晶电容层的制造方法,其方法系提供一基底,且基底上已形成有隔离结构。再于基底上形成第一薄导体层。之后,于第一薄导体层上形成图案化之介电层,其中介电层系位于隔离结构之上。再于第一薄导体层之上形成第二薄导体层。接着,图案化第二薄导体层及第一薄导体层,以于基底上分别形成闸极、第一电阻、第二电阻、及电容结构。 | ||
申请公布号 | TW200607076 | 申请公布日期 | 2006.02.16 |
申请号 | TW093123766 | 申请日期 | 2004.08.09 |
申请人 | 汉磊科技股份有限公司 | 发明人 | 许修文 |
分类号 | H01L27/04 | 主分类号 | H01L27/04 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区创新一路18号 |