发光二极体结构

摘要

一种发光二极体结构，其系表面具有N型氮化镓系材质所形成之N型接触层的基板上，所堆叠之结构，包括：一位障层，其系堆叠于该N型接触层上，其位障层结构为依序堆叠有一氮化铝铟镓(Al1–x–yGaxInyN)层、一氮化矽(SixNy)层以及另一氮化铝铟镓层；一发光层，其系堆叠于该位障层上，所形成之氮化铝铟镓层，且该发光层上再形成如同前述之位障层；另一位障层，其系堆叠于该发光层上，其位障层结构为依序堆叠有一氮化铝铟镓层、一氮化矽层以及另一氮化铝铟镓层；一P型接触层，其系堆叠于最顶层之位障层上，且系镁掺杂(Mg–doped)之P型氮化镓(GaN)材质所形成，并于其顶端形成一欧姆接触之P电极层；以及前述之N型接触层一例形成一欧姆接触之N电极层。