新的绝缘横向双扩散金氧半(LDMOS)积体电路(IC)之技术

摘要

一种横向双扩散金氧半(LDMOS)元件包括一用以控制此元件之闸极、一形成于第一类型井中并且用以连接至闸极之汲极、一与汲极形成一电流路径之源极、以及一沈积于闸极与汲极间之第一场氧化区域。形成闸极并且覆盖于第一类型井的第一部份及第二类型井的通道部份上方。LDMOS亦包括沈积于汲极边缘与第二类型井间之一第二场氧化区域。形成一虚拟多晶矽层以覆盖几近一半的第二场氧化层，并且藉由虚拟多晶矽层之剩余部份来覆盖第二类型井的第二部份，以降低漂移区域中之电场。