用以形成具较佳导热性之应力矽材料的方法

摘要

在此揭示一种生成一SiGe层上覆一应力Si层的方法，其中该SiGe层具有一较佳的热传导性。在第一沉积步骤中，于一基板上沉积一第一层的Si或Ge层；在第二沉积步骤中，于该第一层上沉积前述Si或Ge之另一元素的一第二层；重复该第一及第二沉积步骤以形成一具有由复数层Si层及复数层Ge层组合而成的SiGe层。该Si层及Ge层之个别厚度系依据该组合的SiGe层之欲求的组成比而定(当每一层之Si层及Ge层约10厚时，典型可实现1：1的比例)。该组合的SiGe层之特征为一Si及Ge的数位合金层，其具有较该Si及Ge的随机合金层更高的热传导性。本方法可更包括在该组合的SiGe层上沉积一Si层的步骤；该组合的SiGe层的特征为一放松的SiGe层，且该Si层为一拉紧的Si层。为了在该SiGe层中达到更高的热传导性，可沉积该第一及第二层，使得每一层几乎由单一种同位素组成。