透明导电膜

摘要

本发明提供一种透明导电膜，其具有：一透明基膜；一透明SiOx薄膜，其具有10至100奈米之厚度，1.40至1.80之折射率及0.8至3.0奈米之平均表面粗度Ra，其中x为1.0至2.0；以及包括氧化铟锡错合物之透明导电膜，其具有20至35奈米之厚度及SnO2／(In2O3＋SnO2)之比为3至15wt％，其中该透明导电膜系透过该透明SiOx薄膜而设置于该透明基膜之一侧上。