| 摘要 |
本发明之自动对准凹槽式双扩散金氧半电晶体结构至少包含一个自动对准源区由一个凹槽闸区所包围，其中上述之自动对准源区至少包含一个中度掺杂p–基扩散区形成于一个淡掺杂磊晶半导体基板之内、一个自动对准高掺杂n^＋源扩散环形成于该中度掺杂p–基扩散区的一个侧边表面部份之内、一个高掺杂p^＋接触扩散区形成于该高掺杂n^＋源扩散环所包围之该中度掺杂p–基扩散区的一个表面部份、以及一个自动对准源接触窗口形成于一个侧边墙介电垫层所包围的一个半导体表面。该凹槽闸区至少包含一个闸介电层形成于一个凹槽半导体表面之上且具有或不具有一个较厚隔离介电层形成于一个底部凹槽半导体表面之上及一个自动对准高导电闸层至少形成于该闸介电层之上。 |
