| 主权项 |
1.一种CVD装置,系具备有:构造体,其内部系藉由被 电性绝缘之RF施加电极以及被穿孔之接地电极所 成,并成为放电空间,其特征为: 复数之基板,系与该构造体相对向地配置于该构造 体之外部。 2.如申请专利范围第1项所述之CVD装置,其中对该RF 施加电极供给高频功率的高频电源与该接地电极 或该基板的个数无关而系为一个。 3.如申请专利范围第1项所述之CVD装置,其中该RF施 加电极与该接地电极都是平板状,在该RF施加电极 的两侧以平行状态配置有该接地电极,更于两个该 接地电极的每一个的外侧以平行状态配置有该基 板。 4.如申请专利范围第2项所述之CVD装置,其中该RF施 加电极与该接地电极都是平板状,在该RF施加电极 的两侧以平行状态配置有该接地电极,更于两个该 接地电极的每一个的外侧以平行状态配置有该基 板。 5.如申请专利范围第1项所述之CVD装置,其中该RF施 加电极其全周围被该接地电极包围。 6.如申请专利范围第5项所述之CVD装置,其中该RF施 加电极以及该接地电极两方都是球形状或多面体 形状。 7.如申请专利范围第5项所述之CVD装置,其中该RF施 加电极以及该接地电极两方都是筒形状。 8.如申请专利范围第1项至第7项中任一项所述之CVD 装置,其中该RF施加电极具有将电浆生成用气体导 入到该电浆生成空间的构造,且该接地电极具有在 不同的通路将该活性种与材料气体导入该成膜空 间的构造。 9.一种薄膜电晶体之制造方法,其特征为:使用如申 请专利范围第1项所记载之CVD装置,而使薄膜电晶 体之薄膜成膜。 10.一种积体电路之制造方法,其特征为:使用如申 请专利范围第1项所记载之CVD装置,而使积体电路 中之薄膜成膜。 图式简单说明: 图1是模式地显示与本发明有关的CVD装置的代表的 实施例的主要部位的纵剖面图。 图2是图1所示的构成的俯视图。 图3是与本发明有关的CVD装置的其他实施例的主要 部位纵剖面图。 图4是图3所示的实施例的主要部位的俯视图。 图5是模式地显示与本发明有关的CVD装置的其他实 施例的纵剖面图。 |
