发明名称 具有错误补偿之快速动态低电压电流镜
摘要 一种电流镜,其包括:一电流源;一第一n沟道MOS电晶体,其具有与该电流源相连之一汲极与一闸极,以及一与源电位相连之源极;一第二n沟道MOS电晶体,其具有一汲极、一与该第一n沟道MOS电晶体之汲极和闸极相连之闸极、以及一与源电位相连之源极;以及一零阈值电压MOS电晶体,其具有一与该第二n沟道MOS电晶体之汲极相连之源极、一与该第一n沟道MOS电晶体之汲极与闸极相连之闸极、以及一包括一输出电流节点之汲极。
申请公布号 TWI287185 申请公布日期 2007.09.21
申请号 TW092125620 申请日期 2003.09.17
申请人 艾梅尔公司 发明人 般德立亚, 罗伦索;马耐 戴那特;马思拉, 米尔拉;萨克, 安祖亚
分类号 G05F1/10(2006.01) 主分类号 G05F1/10(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种具有错误补偿之快速动态低电压电流镜,其 包括: 一第一电流源; 一第一n沟道MOS电晶体,其具有一与该电流源相连 之汲极和闸极,以及一接地之源极; 一第二n沟道MOS电晶体,其具有一汲极、一与该第 一n沟道MOS电晶体之该汲极和该闸极相连之闸极, 以及一接地之源极; 一第三n沟道MOS电晶体,其具有一与该第二n沟道MOS 电晶体之该汲极相连之源极、一闸极、以及一包 括一电流输出节点之汲极,其中该电流镜唯一直接 连接至该电流输出节点之元件系该第三n沟道MOS电 晶体之汲极; 一第二电流源;以及 一p沟道MOS电晶体,其具有一接地之汲极、一与该 第二电流源及该第三n沟道MOS电晶体之该闸极相连 之源极、以及一与该第一n沟道MOS电晶体之该汲极 及该闸极相连之闸极。 2.一种具有错误补偿之快速动态低电压电流镜,其 包括: 一电流源; 一第一p沟道MOS电晶体,其具有一与一工作电位相 连之源极、以及与该电流源相连之一闸极及一汲 极; 一第二p沟道MOS电晶体,其具有一与该工作电位相 连之源极、一与该第一p沟道MOS电晶体之该闸极相 连之闸极、以及一汲极; 一第一n沟道MOS电晶体,其具有一接地之源极、以 及与该第二p沟道MOS电晶体之该汲极相连之一闸极 及一汲极; 一零阈値n沟道MOS电晶体,其具有一与一电流输出 节点相连之汲极、一与该第一n沟道MOS电晶体之该 闸极相连之闸极、和一源极;以及 一第二n沟道MOS电晶体,其具有一接地之源极、以 及一与该第一n沟道MOS电晶体之该闸极相连之闸极 、以及一与该零阈値n沟道MOS电晶体之该源极相连 之汲极。 3.一种具有错误补偿之快速动态低电压电流镜,其 包括: 一电流源; 一第一n沟道MOS电晶体,其具有一接地之汲极、以 及与该电流源相连之一闸极及一源极; 一第二n沟道MOS电晶体,其具有一接地之源极、一 与该第一n沟道MOS电晶体之该闸极相连之闸极、以 及一汲极; 一第一p沟道MOS电晶体,其具有一与一工作电位相 连之源极、以及与该第二n沟道MOS电晶体之该汲极 相连之一汲极及一闸极; 一零阈値p沟道MOS电晶体,其具有一与一电流输出 节点相连之汲极、与该第一p沟道MOS电晶体之该闸 极相连之闸极,以及一源极; 一第二p沟道MOS电晶体,其具有一与该工作电位相 连之源极、一与该第一p沟道MOS电晶体之该闸极相 连之闸极、以及一与该零阈値p沟道MOS电晶体之该 源极相连之汲极。 4.一种具有错误补偿之快速动态低电压电流镜,其 包括: 一第一电流源; 一第一p沟道MOS电晶体,其具有一与一工作电位相 连之源极、以及与该第一电流源相连之一闸极及 一汲极; 一第二p沟道MOS电晶体,其具有一与该工作电位相 连之源极、一与该第一p沟道MOS电晶体之该闸极相 连之闸极、以及一汲极,其中该电流镜唯一直接连 接至该电流输出节点之元件系该第三n沟道MOS电晶 体之汲极; 一第三p沟道MOS电晶体,其具有一与一电流输出节 点相连之汲极、一与该第二p沟道MOS电晶体之该汲 极相连之源极、以及一闸极; 一第二电流源;以及 一n沟道MOS电晶体,其具有一与该工作电位相连接 之源极、一与该第一p沟道MOS电晶体之该闸极相连 之闸极、以及一与该第二电流源及该第三p沟道MOS 电晶体之该闸极相连之汲极。 5.一种具有错误补偿之快速动态低电压电流镜,其 包括: 一电流源; 一第一p沟道MOS电晶体,其具有一与一工作电位相 连接之源极、以及与该电流源相连之一闸极及一 汲极; 一第二p沟道MOS电晶体,其具有一与该工作电位相 连之源极、一与该第一p沟道MOS电晶体之该闸极相 连之闸极,以及一汲极; 一零阈値p沟道MOS电晶体,其具有一与该第二p沟道 MOS电晶体之该汲极相连之源极、一与该第一p沟道 MOS电晶体之该闸极相连之闸极、以及一汲极; 一第一n沟道MOS电晶体,其具有一接地之源极、以 及一与该零阈値p沟道MOS电晶体之该汲极相连之闸 极及汲极; 一第二n沟道MOS电晶体,其具有一接地之源极、一 与该第一n沟道MOS电晶体之该闸极相连之闸极、和 一汲极;以及 一零阈値n沟道MOS电晶体,其具有一与该第二n沟道 MOS电晶体之该汲极相连之源极、一与该第一n沟道 MOS电晶体之该闸极相连之闸极、以及一与一电流 输出节点相连之汲极。 图式简单说明: 图1为传统先前技术之电流镜示意图。 图2为先前技术之威尔逊电流镜之示意图。 图3为先前技术之威尔逊电流镜之另一变型之示意 图。 图4为先前技术之共源共汲极电流镜之示意图。 图5为先前技术之高摆动式共源共汲极电流镜之示 意图。 图6为另一先前技术之高摆动式共源共汲极电流镜 之示意图。 图7为依照本发明之适用于低电压工作之第一误差 补偿电流镜示意图。 图8为依照本发明之适用于低电压工作之第二误差 补偿电流镜示意图。 图9A至9D为依照本发明之采用了p沟道MOS电晶体且 适用于低电压工作之其他备选误差补偿电流镜示 意图。
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