| 主权项 |
1.一种导光模组,包括: 一导光板,具有一出光面,及一相对于该出光面之 反射面; 复数个网点,布设于该出光面之表面; 复数个V型沟槽,形成于该反射面之表面,且该些V型 沟槽相互平行; 至少一点光源,系设在该导光板之侧边面对该V型 沟槽一端,且该点光源的光线前进方向与该些V型 沟槽之走向平行; 一光学膜,设置于该出光面上方,且该光学膜面对 该出光面之表面具有复数棱镜(prisms),各该些棱镜 之走向正交(orthogonal)于该些V型沟槽之走向。 2.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该些 网点系为凹入该出光面表面。 3.如申请专利范围第2项所述之导光模组,其中该些 网点系为矩形网点。 4.如申请专利范围第2项所述之导光模组,其中该些 网点系为弧形网点,且各该网点之弧角小于20度。 5.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该些 网点沿远离光源方向呈由疏到密之分布。 6.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中复数 个V型沟槽系为连续排列。 7.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中复数 个V型沟槽系为不连续排列。 8.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该些 V型沟槽之顶角角度为80度至120度。 9.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该反 射面之表面以该光源处为起点,形成V字型无该些V 型沟槽之平面,且该V字型平面之夹角为90度至100度 。 10.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该 些网点以该光源处为起点形成密集之V字型排布, 且该V字型之夹角为90度至100度。 11.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该 出光面之表面以该光源处为起点形成V字型之喷砂 ,且该V字型之夹角为90度至100度。 12.如申请专利范围第1项所述之导光模组,其中该 出光面之表面,且非网点区域形成复数个V型凹纹, 且该些V型凹纹之走向与该点光源投影于反射面所 得的光线方向平行。 13.如申请专利范围第12项所述之导光模组,其中该 些V型凹纹系为连续排列。 14.如申请专利范围第12项所述之导光模组,其中该 些V型凹纹系为不连续排列。 图式简单说明: 第1图,系扩散式导光板之背光模组结构示意图。 第2图,系本发明导光板之示意图。 第3图,系本发明导光板之V型沟槽之示意图一。 第4图,系本发明导光板之V型沟槽之示意图二。 第5图,系本发明之网点结构示意图一。 第6图,系本发明之网点结构示意图二。 第7图,系本发明之网点结构示意图三。 第8图,系本发明之网点结构示意图四。 第9图,系本发明之网点结构示意图五。 第10图,系本发明之网点结构示意图六。 第11图,系本发明之光源摆放位置与V型沟槽方向示 意图一。 第12图,系本发明之光源摆放位置与V型沟槽方向示 意图二。 第13图,系本发明之结构示意图。 第14图,系本发明之光学模拟之结构示意图。 第15图,系扩散导光板与单面沟槽导光板于A区域之 模拟比较图。 第16图,系扩散导光板与单面沟槽导光板于B区域之 模拟比较图。 第17图,系扩散导光板与单面沟槽导光板于C区域之 模拟比较图。 第18图,系本发明之反射面具有V字型无V型沟槽之 结构示意图。 第19图,系本发明之出光面具有V字型之扩散结构之 示意图。 第20图,系本发明双面皆具有V型沟槽之示意图。 第21图,系单面沟槽与双面沟槽之导光板于A区域之 模拟比较图。 第22图,系单面沟槽与双面沟槽之导光板于B区域之 模拟比较图。 第23图,系单面沟槽与双面沟槽之导光板于C区域之 模拟比较图。 第24图,系蚀刻导光板与本发明之双面沟槽之导光 板于同一点之量测比较图。 |
