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发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Siliciumwafers, Verfahren zum Bilden eines Siliciumwafers und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号 DE19611043(B4) 申请公布日期 2006.02.16
申请号 DE1996111043 申请日期 1996.03.20
申请人 TOSHIBA CERAMICS CO., LTD. 发明人 ZHONG, LEI;SHIMOI, NORIHIRO;KIRINO, YOSHIO
分类号 C30B33/00;C30B33/02;H01L21/20;H01L21/66;H01L29/04 主分类号 C30B33/00
代理机构 代理人
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