发明名称 半导体装置的制造方法,半导体装置的制造装置,半导体装置,电脑程式及记忆媒体
摘要 制造一种铜膜与其底层膜的密着性佳,配线间的电阻小的半导体装置。将基板(晶圆W)载置于处理容器内,该基板(晶圆W)包含吸收大气中的水分之多孔质的绝缘膜(SiOC膜11),且在此绝缘膜中形成有沟100。在基板上被覆由阀用金属所构成的第1底层膜(Ti膜13)。藉由从绝缘层所放出的水分,使和绝缘膜衔接的第1膜的表面氧化,而形成钝化膜13a。在第1底层膜的表面被覆由阀用金属的氮化物或碳化物所构成的第2底层膜,在第2底层膜的表面藉由以铜的有机化合物作为原料的CVD来形成铜膜15。
申请公布号 TW200818395 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096126383 申请日期 2007.07.19
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 小岛康彦;池田太郎
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本