发明名称 | 半导体装置的制造方法,半导体装置的制造装置,半导体装置,电脑程式及记忆媒体 | ||
摘要 | 制造一种铜膜与其底层膜的密着性佳,配线间的电阻小的半导体装置。将基板(晶圆W)载置于处理容器内,该基板(晶圆W)包含吸收大气中的水分之多孔质的绝缘膜(SiOC膜11),且在此绝缘膜中形成有沟100。在基板上被覆由阀用金属所构成的第1底层膜(Ti膜13)。藉由从绝缘层所放出的水分,使和绝缘膜衔接的第1膜的表面氧化,而形成钝化膜13a。在第1底层膜的表面被覆由阀用金属的氮化物或碳化物所构成的第2底层膜,在第2底层膜的表面藉由以铜的有机化合物作为原料的CVD来形成铜膜15。 | ||
申请公布号 | TW200818395 | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
申请号 | TW096126383 | 申请日期 | 2007.07.19 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 小岛康彦;池田太郎 |
分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |