发明名称 Magnetischer-Tunnelübergang-Element, MRAM-Einrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Magnetischer-Tunnelübergang-Elements
摘要 Ein Magnetischer-Tunnelübergang-Element weist auf eine erste hart-ferromagnetische Schicht (606), ausgerichtet in einer ersten Richtung, eine einen ersten magnetischen Tunnelübergang bildende erste isolierende Schicht (605) auf oder über der ersten hart-ferromagnetischen Schicht (606), eine weich-ferromagnetische Schicht (604) auf oder über der ersten isolierenden Schicht (605), wobei die weich-ferromagnetische Schicht (604) magnetische Anisotropie aufweist und derart eingerichtet ist, dass das magnetische Feld der weich-ferromagnetischen Schicht (604) mindestens vier stabile Orientierungen aufweist, eine einen zweiten magnetischen Tunnelübergang bildende zweite isolierende Schicht (603) auf oder über der weich-ferromagnetischen Schicht (604) und eine zweite hart-ferromagnetische Schicht (602) auf oder über der zweiten isolierenden Schicht (603), wobei die zweite hart-ferromagnetische Schicht (602) ausgerichtet ist in einer zweiten Richtung, welche sich von der ersten Richtung unterscheidet.
申请公布号 DE102005033480(A1) 申请公布日期 2006.02.16
申请号 DE200510033480 申请日期 2005.07.18
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BRAUN, DANIEL;MUELLER, GERHARD
分类号 H01L27/22;H01L43/08 主分类号 H01L27/22
代理机构 代理人
主权项
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