发明名称 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
摘要 本发明涉及半导体技术领域,特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ni/Au,具有很大的工艺宽容度,可以在较低680℃-760℃的情况,获得满意的欧姆接触特性。该技术的合金温度、合金时间有很大的选择范围,降低了工艺难度,扩大了工艺宽容度,提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形貌。这些优势是现有其它欧姆接触技术所不具备的。
申请公布号 CN1734730A 申请公布日期 2006.02.15
申请号 CN200410058035.7 申请日期 2004.08.09
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 魏珂;和致经;刘新宇;刘健;吴德馨
分类号 H01L21/3205(2006.01);B32B15/01(2006.01) 主分类号 H01L21/3205(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1.一种新结构的欧姆接触系统,其特征在于,欧姆接触金属蒸发时采用五层结构的AlTiAlNiAu结构,与AlGaN组成金半界面的是Al。
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