一种制备AIN纳米线及其阵列的方法

摘要

一种制备AlN纳米线及其阵列的方法，是一种宽隙带AlN纳米线及其阵列的中温制备方法，它采用金属Al或合金Al催化氮化法，以金属Al源和气态N源为原料，在孔性氧化铝模板上沉积，即得AlN纳米线及其阵列，在催化剂上即得AlN纳米线。本发明的AlN纳米线及其阵列的制备方法是中温化学气相沉积法。原料价廉、操作简单、合成时间短、温度较低，得到的是AlN纳米线及其阵列，直径从8nm到100nm可调，长度可控；其中采用了模板控制合成法，使所得AlN纳米线阵列的结构参数可调。因此是一种经济的获得高品质的AlN纳米线及其阵列的制备方法。

主权项

1.一种制备AlN纳米线或纳米线及其阵列的方法，其特征是在氩气气氛下先升温至850～1250℃，然后将氩气切换成流量为50～1000ml/min的NH3/N2混合气，以金属Al粉在孔性氧化铝上沉积生长AlN纳米线及其阵列，或在负载Fe、Co和Ni中至少一种的金属铝粉上沉积生长AlN纳米线，其中孔性氧化铝为20～80nm孔径的孔性氧化铝，孔性氧化铝或负载Fe、Co和Ni中至少一种的金属铝粉均置放管式炉中。