| 发明名称 | 确定终点的方法以及半导体圆片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在化学机械抛光半导体圆片(100、200)期间确定终点的方法。该方法包括步骤：在待抛光的第一层(106、206)上，沉积第二层(108、208)，第一层(106、206)的物理特性不同于第二层(108、208)的物理特性。此后，利用化学机械抛光抛光圆片(100、200)。因为各层的物理特性不同，所以可以检测物理特性的变化，而且可以根据检测到的变化，确定终点。此外，还公开了一种用于化学机械抛光的半导体圆片。 | ||
| 申请公布号 | CN1242460C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN01820407.4 | 申请日期 | 2001.11.19 |
| 申请人 | 自由度半导体公司 | 发明人 | 大卫·哈格特;沃特·格拉斯郝斯尔 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
| 主权项 | 1.一种在化学机械抛光半导体圆片期间确定终点的方法，该方法包括步骤：提供半导体圆片；在所述半导体圆片上沉积第一层；在第一层上沉积牺牲层，其中牺牲层的物理特性不同于第一层的物理特性；在牺牲层上沉积第三层，其中牺牲层的物理特性不同于第三层的物理特性；抛光所述半导体圆片使得具有剩下的厚度的第一层保留，其中在抛光期间：去除第三层；其中在抛光到第一层时，检测牺牲层和第一层之间的物理特性的变化；根据检测到的变化，确定终点。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||