| 发明名称 | 含有单独的晶体三极管的存储器器件及其操作与制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种存储器器件，包括具有RAM和ROM功能的一个单独的晶体三极管及其操作与制造方法。本存储器器件包括形成于基底之上的一个单独的晶体三极管。该晶体三极管是一个存储器晶体三极管，它具有一个栅极，连同一个非易失性存储器单元，或者在介于晶体三极管与基底之间形成非易失性存储器单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1242482C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN02101806.5 | 申请日期 | 2002.01.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳仁暻;金炳晚 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/412(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一个存储器器件，包括：一块基底；以及形成于基底之上的一个单独的晶体管，该晶体管包含一个具有非易失性存储器单元的栅极，其中，非易失性存储器单元包括形成于栅极绝缘层之上的半导体量子点阵，和覆盖多个量子点的非晶性材料，其中，非晶性材料层存储着从半导体量子点阵发射的载流子，并且将载流子保持在一种非易失性状态，直到已发射的载流子被重新俘获到半导体量子点阵里面为止。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||