TFT阵列试验方法以及试验装置

摘要

本发明提供一种可以在密封EL元件前推断TFT阵列的亮度不均一的试验装置。本发明可以通过一种试验方法解决上述问题，所述试验方法是将具备像素选择晶体管以及驱动晶体管的像素配置成矩阵状的TFT阵列基板的试验方法，上述像素选择晶体管具有由第一构造材料构成的闸极、以及由第二构造材料构成的源极以及汲极，上述驱动晶体管具有由第一构造材料构成的闸极、以及由第二构造材料构成的源极以及汲极；且所述试验方法包含：对像素选择晶体管的汲极施加第一电压，使上述源极电压初始化的第一步骤；对像素选择晶体管的汲极施加第二电压，并测定流动于像素选择晶体管的汲极以及源极间的电流的第二步骤；以及根据电流以及第一电压与第二电压的电位差，求出上述像素选择晶体管的接通电阻的第三步骤。

主权项

1.一种试验方法，其特征在于：其是将像素配置为矩阵状的TFT阵列基板的试验方法，所述像素具备像素选择晶体管，所述像素选择晶体管具有由第一构造材料构成的闸极、以及由第二构造材料构成的源极以及汲极；以及驱动晶体管，其具有由上述第一构造材料构成的闸极、以及由上述第二构造材料构成的源极以及汲极；且，所述试验方法包含对上述像素选择晶体管的上述汲极施加第一电压，使上述像素选择晶体管的上述源极电压初始化的第一步骤；对上述像素选择晶体管的上述汲极施加第二电压，并测定流动于上述像素选择晶体管的汲极以及源极间的电流的第二步骤；以及根据上述电流以及上述第一电压与上述第二电压的电位差，求出上述像素选择晶体管的接通电阻的第三步骤。