Endowed organic semiconductor materials and method of prepration

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von dotierten organischen Halbleitermaterialien mit erhöhter Ladungsträgerdichte und effektiver Ladungsträgerbeweglichkeit durch Dotierung mit einem Dotanden (1), wobei nach dem Einmischen des Dotanden (1) in das organische Halbleitermaterial Wasserstoff, Kohlenoxid, Stickstoff oder Hydroxyradikale abgespalten wird und zumindest ein Elektron auf das Halbleitermaterial oder von dem Halbleitermaterial übertragen wird. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass als Dotand (1) eine ungeladene organische Verbindung verwendet wird.

Ferner betrifft die Erfindung dotierte organische Halbleitermaterialien, erhältlich durch eines der Verfahren. Die Halbleitermaterialien zeichnen sich dadurch aus, dass in der dotierten Schicht Kationen (2) zumindest einer organische Verbindung enthalten ist, wobei die ungeladene Form der organischen Verbindung (1) an der Luft nicht stabil ist.