| 发明名称 | 微波等离子体处理装置及等离子体处理控制方法 | ||
| 摘要 | 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。 | ||
| 申请公布号 | CN1242656C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN02807326.6 | 申请日期 | 2002.03.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H05H1/46(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种微波等离子体处理装置，通过由微波产生的等离子体进行等离子体处理，其特征在于，具有：微波发生器，用于产生微波；处理室，容纳被处理物，用于实施等离子体处理；导波管，将所述微波发生器产生的微波导入所述处理室；反射波监测装置，监测被在所述处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率；将所述微波从所述导波管导入缝隙天线的同轴管；将所述微波从所述缝隙天线导入所述处理室的电介质窗，其中，在所述同轴管与所述缝隙天线的连接部分具有锥度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||