| 发明名称 | 半导体芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 为了用薄膜技术制造半导体芯片，一个有源层(2)在一衬底上生长，背面带有具有一基层(3)的接触层，并通过一加强层(4)加强，这些层的总厚度至少等于有源层(2)的厚度。然后安置一个辅助载体层(5)，从而可以进一步加工有源层(2)。加强层(4)和辅助载体层(5)代替了传统方法中使用的机械载体。 | ||
| 申请公布号 | CN1242493C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN01814332.6 | 申请日期 | 2001.07.18 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | S·伊勒克 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/78(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 苏娟;赵辛 |
| 主权项 | 1.用薄膜技术制造半导体芯片的方法，具有以下方法步骤：-在一个衬底(1)上形成一个具有一发射光子的区域的有源层(2)；-在有源层(2)上形成一个或多个接触层(3)；-在所述一个或多个接触层(3)上形成导电的、提高半导体芯片的机械强度的加强层(4)，-其中，所述一个或多个接触层(3)和加强层(4)的厚度之和大于所述有源层(2)的厚度，-去除衬底(1)，其特征在于，在加强层(4)上表面覆盖地安置一个辅助载体层(5)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||