| 发明名称 | 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au的合金系统。新型结构的欧姆接触Ti/Al/Ti/Pt/Au，具有很大的工艺宽容度，可以在较低780℃的情况，获得满意的欧姆接触特性，并得到理想的合金形貌，降低了器件研制的难度。这一技术对于掺杂和非掺杂样品同样适用。 | ||
| 申请公布号 | CN1734731A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200410058036.1 | 申请日期 | 2004.08.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 魏珂;和致经;刘健;刘新宇;吴德馨 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01);B32B15/01(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种新结构的欧姆接触系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发时采用五层的TiAlTiPtAu结构，与AlGaN组成金半界面的是Ti。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||