一种CMOS器件上的MIM电容及其制造方法

摘要

本发明有关一种在CMOS器件后端工艺中在第二金属层与第三金属层间制作金属―绝缘体―金属(MIM)结构的电容及其制造方法，利用第二金属层做为电容下电极，SiN薄膜做为电容绝缘介质膜，再在SiN薄膜上淀积TiN薄膜做为电容的上电极，并利用通孔连接电容上电极和第三互连金属层，然后由第三互连金属层连接MIM电容和其它元件。上述工艺使得MIM电容单位面积的电容值稳定在1fF/um²，并具有较好的漏电性能和较高的击穿电压。

主权项

1、一种CMOS器件上的MIM(金属-绝缘体-金属)电容，所述CMOS器件包括第二金属层及第三金属层，其特征在于：第二金属层作为MIM电容的下电极，且第二层金属上具有氮化硅层作为MIM电容的绝缘介质，氮化硅上淀积有氮化钛层作为MIM电容的上电极，第三金属层位于氮化钛层的上方，通孔连接第三层金属及上电极。