| 发明名称 | 一种电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种电容器的制造工艺，采用该制造方法可以提高电容器电性能的稳定性、可靠性和提高制造过程的良率。本发明采用一层很薄的非掺杂多晶硅层，作为保护层，覆盖在掺杂多晶硅极板上，避免了多晶硅和二氧化硅进行接触窗蚀刻时出现不均匀深度的接触窗，从而使电容器性能十分可靠、稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN1734739A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200410053694.1 | 申请日期 | 2004.08.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李东;李修远;孙雪莉;金明伦;杨丽丽 |
| 分类号 | H01L21/70(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/70(2006.01) |
| 代理机构 | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1.一种电容器的制造方法，包含在集成电路芯片制造工艺中，其特征在于，形成电容器结构的步骤如下：步骤一、有效区域处理(Active Area Formation)；步骤二、栅极生成(掺杂多晶硅+硅化钨)，微影，蚀刻；步骤三、绝缘体氧化层沉积；步骤四、沉积掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅以制作上极板和保护层；步骤五、上极板微影、蚀刻；步骤六、ILD处理和接触窗微影、蚀刻；步骤七、填入钨插脚和金属衬底处理。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||