一种半导体光放大器

摘要

一种半导体光放大器，属于半导体光电器件，解决结构复杂、工艺不易于实现、不便应用的技术问题，兼具高饱和输出功率和低噪声指数。其芯片内部依次包括衬底、缓冲层、上包层、有源区、下包层、欧姆接触层，芯片的顶层和底层分别为上、下金属电极层和上、下电极；放大器的输入端面和输出端面上镀制有抗反膜，输出端面抗反膜的反射率低于输入端面抗反膜的反射率；上金属电极层上刻蚀有N个电绝缘槽，将放大器沿腔长方向分成N+1个小节，每个小节都有一个上电极，N≥2。本发明可以同时改善SOA的噪声指数和饱和输出功率，具有结构简单，易于实现的优点。

主权项

1.一种半导体光放大器，其芯片内部依次包括衬底、缓冲层、上包层、有源区、下包层、欧姆接触层，芯片的顶层和底层分别为上、下金属电极层和上、下电极；放大器的输入端面和输出端面上镀制有抗反膜，其特征在于：(1)沿着腔长方向，在所述上金属电极层上刻蚀有N个电绝缘槽，将放大器沿腔长方向分成N+1个小节，每个小节都有一个上电极，共有N+1个上电极，N≥2；(2)放大器的输出端面抗反膜的反射率低于输入端面抗反膜的反射率。