| 发明名称 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极3相对的上部电极(4)来设置电气特性调整部(20)。电气特性调整部(20)可以进行调整，使得相对于向下部电极3供给的高频电力的频率的、从等离子体(P)看到的上部电极(4)一侧的电路的阻抗，使该电路不发生共振。在进行蚀刻处理时，通过调整，使得所述阻抗从共振点错开，以提高蚀刻处理的面内均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1734712A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200510088802.3 | 申请日期 | 2005.07.29 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岩田学;舆水地盐;山泽阳平 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/46(2006.01);C23C16/50(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种使用等离子体来处理基板的等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容基板来进行处理的处理容器；在所述处理容器内载置基板的下部电极；在所述处理容器内，相对所述下部电极而配置的上部电极；高频电源，向至少所述下部电极和所述上部电极之一供给高频电力，在所述下部电极和所述上部电极之间产生等离子体；和电气特性调整部，调整相对于存在于所述处理容器内的至少一个高频频率的、从所述等离子体看到的电极一侧的电路的阻抗，以使所述电路不发生共振。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||