发明名称 发光元件及其制作方法
摘要 提供一种能抑制亮度劣化、寿命长的发光装置及电子装置,本发明不像以往的真空蒸镀法那样,一直在真空中形成由空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层等构成的有机化合物层及电极,而是在形成由酞菁构成的空穴注入层后,暴露在气体气氛中。特别是将铜酞菁暴露在氧气气氛中。利用该方法可提供寿命长的有机发光元件,用上述有机发光元件制作发光装置及电子装置。
申请公布号 CN1736129A 申请公布日期 2006.02.15
申请号 CN200380108551.X 申请日期 2003.12.19
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 池田寿雄
分类号 H05B33/10(2006.01) 主分类号 H05B33/10(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 岳耀锋
主权项 1、一种发光元件的制作方法,该发光元件具有:阳极、阴极、设置在上述阳极和上述阴极之间的发光层、以及设置在上述阳极和上述阴极之间的空穴注入层,其特征在于:上述空穴注入层由酞菁形成,而且,空穴注入层形成后暴露在气体气氛中。
地址 日本神奈川