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发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT
摘要
申请公布号 FR2912258(B1) 申请公布日期 2009.05.08
申请号 FR20070000718 申请日期 2007.02.01
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES SOCIETE ANONYME 发明人 NEYRET ERIC
分类号 H01L21/762;H01L21/324 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
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