发明名称 |
碳纳米管阵列结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及碳纳米管阵列结构及其制备方法。该碳纳米管阵列结构,包括一基底、形成于该基底一表面上的至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上的碳纳米管阵列,其特征在于该催化剂区块的厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄,自第一端部至第二端部的范围内,有一处的厚度最接近一最佳厚度,碳纳米管阵列从接近最佳厚度处向背离最佳厚度处的方向弯曲。本发明还揭露制备上述碳纳米管阵列结构的方法。该碳纳米管阵列结构及其制备方法可用于平面显示、纳米电子器件、大电流场发射电子枪等器件及其阴极制造工艺。 |
申请公布号 |
CN1733601A |
申请公布日期 |
2006.02.15 |
申请号 |
CN200410051102.2 |
申请日期 |
2004.08.11 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
刘亮;范守善 |
分类号 |
C01B31/02(2006.01);B82B3/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种碳纳米管阵列结构,包括一基底、形成于该基底一表面上的至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上的碳纳米管阵列,其特征在于该催化剂区块的厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄,自第一端部至第二端部的范围内,有一处的厚度最接近一最佳厚度,碳纳米管阵列从接近最佳厚度处向背离最佳厚度的方向弯曲。 |
地址 |
518109北京市海淀区清华大学物理系 |