| 发明名称 | 形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法，其是首先提供一基底，接着在基底上形成一栅极结构，其中栅极结构的顶部形成有一顶盖层。之后在栅极结构的侧壁形成一间隙壁，并且利用顶盖层以及间隙壁为一蚀刻掩膜，在间隙壁两侧的基底中形成一开口。接着在开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1242457C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN02140775.4 | 申请日期 | 2002.07.24 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张国华;黄文信 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种形成凹陷式源极/漏极接面的半导体元件的方法，其特征在于：包括：提供一基底；在该基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构的顶部形成有一顶盖层；在该栅极结构的侧壁形成一间隙壁；以该顶盖层以及该间隙壁为一蚀刻掩膜，在该间隙壁两侧的该基底中形成一开口；在该开口中形成一选择性薄膜以作为一源极/漏极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||