| 发明名称 | 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法 | ||
| 摘要 | 构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，超薄非晶硅(a-Si)薄膜或a-SiN<SUB>X</SUB>:H/a-Si:H/a-SiN<SUB>X</SUB>:H结构薄膜上先制作移相光栅模版，然后以激光干涉晶化：激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiN<SUB>X</SUB>:H/a-Si:H/a-SiN<SUB>X</SUB>:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布(图形化)的纳米硅量子点阵列。本发明图形化量子点薄膜可批量生产，能够有效地控制硅量子点的形成与尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN1242454C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN03131685.9 | 申请日期 | 2003.06.06 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 陈坤基;黄信凡;闵乃本;骆桂蓬;王明湘;徐骏;李伟 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 1、构筑二维有序分布硅量子点图形化纳米结构的方法，对超薄非晶硅薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜激光干涉晶化，其特征是先制作移相光栅模版，在石英表面蒸铝，铝膜厚度约为1μm，在铝膜的表面上涂敷光刻胶，采用电子束刻蚀技术在光刻胶内形成设计的二维光栅图形，用化学腐蚀法把图形复制到铝膜上；利用反应离子刻蚀技术，以铝膜作掩模对石英进行刻蚀，把光栅图形复制到石英片上，控制刻蚀时间从而控制光栅凹槽深度，制成重复周期为1μm至3μm的二维移相光栅模版，光栅凹槽深度h＝λ/2(n-1)，式中λ为激光波长，n为石英折射率；激光干涉晶化的方法是，激光束经二维移相光栅模版到达a-Si薄膜或a-SiNX:H/a-Si:H/a-SiNX:H结构薄膜表面上形成能量密度二维周期分布的束斑，使a-Si:H薄膜实现定域晶化，即在薄膜内形成二维空间有序分布的纳米硅量子点阵列。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||