| 发明名称 | 磷化硼基半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种磷化硼基半导体发光器件，包括：晶体衬底；第一半导体层，在所述晶体衬底上形成，所述第一半导体层包括发光层，用作基层并具有第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；磷化硼基半导体非晶层，在所述第一半导体层的所述第一区域上形成，所述磷化硼基半导体非晶层包括高电阻磷化硼基半导体非晶层或导电类型与所述第一半导体层的导电类型相反的第一磷化硼基半导体非晶层；焊盘电极，在所述高电阻或相反导电类型磷化硼基半导体非晶层上形成，用于建立引线焊接；以及导电磷化硼基晶体层，在所述第一半导体层的所述第二区域上形成，所述导电磷化硼基晶体层可选地延伸到所述磷化硼基半导体非晶层的部分，其中在所述焊盘电极的底部上方的所述焊盘电极的部分处，所述焊盘电极与所述磷化硼基半导体晶体层相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1735975A | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
| 申请号 | CN200380108272.3 | 申请日期 | 2003.12.25 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种磷化硼基半导体发光器件，包括：晶体衬底；第一半导体层，在所述晶体衬底上形成，所述第一半导体层包括发光层，用作基层并具有第一区域和不同于所述第一区域的第二区域；磷化硼基半导体非晶层，在所述第一半导体层的所述第一区域上形成，所述磷化硼基半导体非晶层包括高电阻磷化硼基半导体非晶层；焊盘电极，在所述高电阻磷化硼基半导体非晶层上形成，用于建立引线焊接；以及导电磷化硼基晶体层，在所述第一半导体层的所述第二区域上形成，所述导电磷化硼基晶体层可选地延伸到所述磷化硼基半导体非晶层的部分，其中在所述焊盘电极的底部上方的所述焊盘电极的部分处，所述焊盘电极与所述磷化硼基半导体晶体层相接触。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||