发明名称 | 包含双读端口的嵌入式MRAM | ||
摘要 | 具有嵌入式MRAM的处理设备,和一个构造方法,其中包含一个在一个半导体芯片上制造的数据处理设备(10),其中使用在芯片上构造的MRAM单元以便构成芯片上的全部存储器。其中包含与数据处理设备(10)通信的双组存储器(31,32)和连接到数据处理设备与双组存储器以便提供对双组存储器的同时读访问的电路。 | ||
申请公布号 | CN1242334C | 申请公布日期 | 2006.02.15 |
申请号 | CN00131425.4 | 申请日期 | 2000.10.18 |
申请人 | 自由度半导体公司 | 发明人 | 彼德·K·那基 |
分类号 | G06F12/02(2006.01) | 主分类号 | G06F12/02(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
主权项 | 1.具有嵌入式MRAM的处理设备,其特征在于:在一个半导体芯片上制造的一个数据处理设备(10);和在所述芯片上制造的MRAM单元,用作与数据处理设备通信的数据存储器(15)与指令存储器(16),该数据与指令存储器包含信号处理单元(70)和地址空间选择器(45),其中信号处理单元(70)响应于从数据处理设备(10)接收的信号和一个“读”信号,生成多个信号并提交给地址空间选择器(45),作为响应,地址空间选择器(45)将信号提供给多个行解码器和列解码器,以便向数据处理设备提供同时的数据和指令读输出。 | ||
地址 | 美国得克萨斯 |