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经营范围
发明名称
METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING DUAL DAMASCENE PROCESS
摘要
申请公布号
KR100905996(B1)
申请公布日期
2009.07.06
申请号
KR20020037249
申请日期
2002.06.29
申请人
发明人
分类号
H01L21/28;(IPC1-7):H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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